Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006849, 0110U006080 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 27-02-2014 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Досліджено спектральні та часові залежності поздовжньої фотопровідності наногетероструктур Si/Ge з наноострівцями. Фотопровідність при Т<190 K, в спектральній області, де Si є прозорим, зумовлена переходами за участю локалізованих станів наноострівців SiGe. Показано, що при зниженні температури найбільш суттєвим виявилося зменшення фотопровідності в області фундаментального поглинання наноострівців. Це свідчить про високу ефективність центрів рекомбінації електрон-діркових пар в SiGe наноострівцях. Опис продукції Автори роботи Варавка О.В. Козирев Юрій Миколайович Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити