Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006928, 0108U004837 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення технології вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- та мікроелектронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 28-03-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу За час виконання проекту 2008-2012 роки були виконані роботи и отримані наступні результати: Виготовлено та встановлено обладнання для термічних відпалів в діапазоні температури до 900 °С, Відпрацьовані методики термообробок матеріалів в протоці сухого азоту, вологого азоту, кисню та ацетилену при температурі до 800 °С. Комп'ютерізовано обладнання для імпульсного відпалу в протоці азоту (час відпалу: від 1 сек до 10 мін; температура відпалу: 400-1000 °С); Проведено модернізацію технологічної установки магнетронного осадження Катод-1 М для осадження плівок аморфного карбіду кремнію підвищеної рівномірності по товщині і хімічному складу на підкладці діаметром до 100 мм. Відпрацьована лабораторна технологія нанесення захисних шарів a-SiC(:H) методом ВЧ-магнетронного розпилення мішені кристалічного карбіду кремнію. Перевагою методу є низька температура синтезу. Лабораторна технологія дозволяє формувати захисні шари товщиною до 1000 нм на підкладках діаметром 100 мм. Шари стійки до температури 1000°С в атмосфері кисню або парів води. Розроблено та запропоновано метод керування механічними напруженнями в гетеро-структурах SiC/Si та a-SiO(x)C(y)/Si за допомогою комбінації варіювання потужності розряду магнетрону, термообробки в інертному середовищі та/або в кисні. Комп'ютерізовано обладнання для вимірювання електролюмінесценції у діапазоні 350-750 нм у режимі постійної напруги та постійного струму на базі монохроматора МДР-23. Відпрацьована лабораторна технологія синтезу фотолюмінесцентних (ФЛ) шарів SiC(x)O(y), методом низькотемпературного окиснення плівок a-SiC:H. Матеріал не містить важких та рідкоземельних металів-активаторів. Опис продукції Технологі] вирощування наноструктурованих матеріалів на основі SiOC методами карбонування та окислення пористого кремнію та магнетронног осадження Автори роботи Васін А.В. Назаров О.М. Русавський А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити