Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006964, 0113U005879 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та пристрою для нанесення металевих контактів на поверхні напівпровідникових монокристалічних зразків СdZnTe і полікристалічних алмазних плівок із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми Назва етапу роботи Керівник роботи Таран Валерій Семенович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 16-04-2014 Організація виконавець Інститут високих енергій і ядерної фізики ННЦ ХФТІ НАН України Опис етапу Виготовлені зразки СdZnTe та алмазних підкладок, відпрацьована технологія для нанесення на них металевих контактів із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми, та виготовлені на їх основі детектори іонізуючих випромінювань. та виготовлення на їх основі детекторів іонізуючих випромінювань. Досліджено електрофізичні властивості детекторів, проведено вимірювання вольт-амперних характеристик та здатність виготовлених детекторів до реєстрації гама-випромінювання та alfa -- часток. Досліджено характеристики напівпровідникових монокристалічних зразків Ме/CdZnTe/Ме. Для створення електричного контакту апробовані метали Cu, Cr и Ni. Нанесення покриттів у вакуумно-дуговій установці з асистованним високочастотним полем дозволило наносити покриття на діелектричні зразки при низькій температурі до 150o С. Необхідне подальше відпрацювання методу для зменшення темнових струмів детекторів і збільшення адгезійних властивостей контактів. Метод дозволяє регулювати товщину різних напилюваних металів до 1,5 мкм. Крім того, він дає можливість збільшити адгезію і досягати високої суцільності та безпористості покриттів в порівнянні з традиційним способом створення контакту хімічним осадженням з розчину. Досліджено ВАХ та амплітудні розподіли сигналу детекторів з полікристалічних CVD алмазних плівок при опроміненні альфа-частками. Для цього на поверхню заготовок напилювалися контакти з Cr. Таким образом були отримані детектори с омічними контактами и малими значеннями токів витоку. Ключові слова: детектори, ионизуючи випромінювання,CdZnTe, CVD алмаз. Вакуумна установка, ВЧ-генератор, дугові испарители, зміцнюючі покриття. Опис продукції Проведено наукові та технологічні дослідження і показано ефективність розробленої технології нанесення покриттів (Ni, Ti, Cr,) на кристали СdZnTe і алмазні плівки у вакуумі за допомогою комбінації дугового і ВЧ розрядів у вакуумно плазмової установці. Розроблено ВЧ генератор, що дозволило при подачі ВЧ зміщення на підложку наносити композитні покриття при низькій температурі осадження та наносити металеві покриття на діелектричні матеріали. Застосований метод фінішного ВЧ чищення деталей перед нанесенням покриттів дозволив виключити наявності микрокапель і мікродуг, що мають місце при стандартном дуговом чищенні. Стабільність і повторюваність процесу нанесення покриттів забезпечувалася наявністю перепрограмуємого контролера. Автори роботи Вєрьовкін А.А. Губарєв С.П. Клосовський А.В. Красний В.В. Кутній В.Є. Муратов Р.М. Наконечний Д.В. Незовибатько Ю.Н. Опалєва Г.П. Рибка О.В. Таран В.С. Тимошенко О.І. Швец О.М. Щебетун А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити