Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U007570, 0109U006061 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення методів контролю геометричних розмірів продукції високотемпературних металургійних процесів Назва етапу роботи Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 05-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Метою роботи є розробка методів і апаратури, що дозволяють із застосуванням оптичного й телевізійного методів, їх модифікацій, автоматично регулювати діаметр злитків сильнолегованих напівпровідників і напівпровідникових сполук, що розкладаються. Отримано аналітичне співвідношення для рівня нерегульованих флуктуацій діаметра злитків напівпровідників і напівпровідникових сполук при витягуванні з розплаву за методом Чохральського в першому наближенні. Розроблено технічні вимоги до широкодіапазонних фоточутливих елементів системи автоматичного регулювання діаметра (ФЧЕ САРД), здатних перекрити в роботі практичний діапазон температур спрямованої кристалізації основних промислових напівпровідникових матеріалів (Si, GaAs, InAs та ін.), металів і сплавів. Із застосуванням технології рідиннофазної епітаксії розроблено експериментальну методику виготовлення гетероструктурних лавинних фотодіодів InxGa1-xAs/InP для ФЧЕ САРД. Розроблено структурно-функціональну схему оптичного блоку сенсорної системи, а також технічні рішення її реалізації. На макетному зразку блоку визначені, відпрацьовані, апробовані й уточнені основні технічні характеристики та параметри оптичного блоку. На основі принципу дворівневої архітектури пристрою керування сенсорної системи розроблені структурно-функціональна схема електронного блоку, схеми пристроїв і сублоків, визначені технічні характеристики та параметри електронного блоку. Розроблено й реалізовано в складі програмних і апаратних засобів сенсорної системи наступні методики: контролю і регулювання діаметра злитків сонячного кремнію; програмно-апаратурного керування та контролю діаметра злитків GaAs і InAs в процесах витягування за методом Чохральського; програмно-апаратурного регулювання розміру провідникових дротів Al- і Cu- сплавів, чистих металів. Виконано комплексні технічні та технологічні випробування розроблених програмно-апаратурних засобів і методик у складі сенсорної системи в процесах керування й регулювання діаметра злитків сонячного Si, GaAs і InAs при витягуванні з розплаву за методом Чохральського, а також при кристалізації та формоутворенні дроту з провідникових Al- і Cu-сплавів. Результати робіт дозволять створити високоточні системи й апаратуру регулювання розмірів злитків та інших заготовок напівпровідникових матеріалів даного типу, що кристалізуються з розплаву за методом Чохральського, а також аналогічних систем для контролю розмірів заготовок з металевих сплавів, які формуються. СПРЯМОВАНА КРИСТАЛІЗАЦІЯ НАПІВПРОВІДНИКІВ, МЕТАЛІВ І СПЛАВІВ, СИСТЕМИ АВТОМАТИЧНОГО РЕГУЛЮВАННЯ ДІАМЕТРУ ЗЛИТКІВ, ШИРОКОДІАПАЗОННІ ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ. Опис продукції 1. Макет лабораторного комплексу автоматичного контролю та регулювання діаметру (розміру) кристалів напівпровідників та заготівок металічних сплавів, що кристалізуються з розплаву методами направленої кристалізації. 2. Нові методи регулювання діаметру злитків легованих напівпровідникових кристалів, металевих сплавів та кристалів напівпровідникових сполук А3В5 і А2В6. Автори роботи Єрохін С. Ю. Деменський О. М. Краснов В. О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити