Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U007571, 0109U006060 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення термофотовольтаїчних генераторів Назва етапу роботи Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 05-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по НДР: 204 с., 2 частини, 10 посилань. Метою проекту є розробка та створення нових економічно доцільних технологічних та конструктивних рішень виготовлення складових елементів термофотовольтаїчних систем перетворення ІЧ - випромінювання в електричну енергію. Розроблено основи нової експериментальної методики виготовлення полікристалічного антимоніду галію та інших сполук системи А3В5, отримано дослідні зразки приладових зразків термофотовольтаїчних перетворювачів на основі р-п-структур GaSb. Експериментально (на прикладі системи Ga-GaSb) підтверджено підвищену відтворюваність параметрів шарів при застосуванні розробленої методики та показано, що отримані тонкошарові структури придатні для створення ефективних термофотовольтаїчних перетворювачів із зниженою собівартістю. Розроблено основи методики виготовлення структур емітерів на основі карбіду кремнію при використанні шихти різного складу для забезпечення мінімізації коефіцієнту термічного розширення кераміки до 1,0- 3,0 х 10-6/C та селективних фільтрів на основі легованих структур ІТО(SnO2:In2O3)-Si, SnO2-Si. Розроблено технологічну установку для отримання тонкошарових структур ТФВ-перетворювачів зі зменшеною собівартістю. Запропоновано та реалізовано технологічні способи виготовлення матеріалу та заготовки для виготовлення дослідних зразків емітера термофотовольтаїчного генератора на основі композитного матеріалу Al/SiС/В2О3. Розроблено спосіб виготовлення селективного фільтру на основі SiO2 з покриттям iз шарів SnO2, або SnO2/In2O3, легованих сурмою, за допомогою методу піролітичної пульверизації. Розроблено основи технології виготовлення термофотовольтаїчних перетворювачів на основі р-п-структур полікристалічного GaSb. Розроблено технологічні режими формування контактних систем для мінімізації питомого перехідного контактного опору (до 10-6 Ом.см2) на основі шарів Ti-Pt-Ag та вплив термообробок в газових середовищах на параметри контактних систем термофотовольтаїчного перетворювача на основі р-п- структури GaSb. Показано, що максимальна ефективність термофотовольтаїчної системи досягається при циліндричній формі розташування GaSb-перетворювачів навколо емітера із використанням селективного фільтру SiO2/SnO2/In2O3(Sb). для забезпечення повернення "підзонних" фотонів (? > 1,8 мкм) до емітера і сягає 19%.. Практична значимість проекту полягає в тому, що утилізація частини ІЧ - спектру випромінювання високотемпературних технологічних процесів шляхом перетворення її в електричну енергію дозволить як заощаджувати традиційні джерела енергії, так і поліпшити умови праці, екологічні наслідки розсіювання теплового випромінювання в навколишньому середовищі. Результати НДР можуть бути використані в таких сферах: електронній промисловості, охорона навколишнього середовища, наука, медицина. ТЕРМОФОТОВОЛЬТАЇЧНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ, СТРУКТУРИ GaSb, ІТО(SnO2:In2O3)-Si, SnO2-Si, СЕЛЕКТИВНИЙ ФІЛЬТР SIO2/SNO2/IN2O3(SB). Опис продукції 1. Дослідна технологія виробництва ТФВ-перетворювачів на основі твердих розчинів системи А3В5. 2. Експериментальна технологія виготовлення ТФВ-генераторів перетворення ІЧ-випромінювання. Автори роботи Деменський О. М. Краснов В. О. Марончук О.І. Цибуленко В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити