Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U008216, 0114U003538 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення нанотехнологій синтезу наночастинок ZnO та CdS для виготовлення світловипромінювальних елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттями", етап 5 "Розробка світловипромінювальних елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттям SiO2 і наночастинками ZnO та CdS" Назва етапу роботи Керівник роботи Карачевцева Людмила Анатоліївна, Дата реєстрації 12-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Науково-технічна ідея проекту полягає у тому, що для виготовлення ефективних світловипромінюючих елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттями запропоновано структури з оптимальними глибиною макропор та товщиною нанопокриття SiO2 і шару світловипромінюючих наночастинок ZnO та CdS. У відповідності з основною метою визначено вплив очистки поверхні структур шляхом їх окислення та травлення оксиду на зниження концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації. Встановлено, що залежність часу розсіяння поверхневих електронів від енергії ~ E3/2 відповідає розсіянню на іонізованих домішках. В спектрах ІЧ поглинання окислених структур макропористого кремнію з наночастинками спостерігається формування ТО і LO фононних піків та додаткових піків, пов'язаних з поверхневими багатофононними поляритонами. Одержана висока інтенсивність фотолюмінесценції завдяки збільшенню потоку електронів з кремнієвої матриці у напрямку шару нанокристалів в умовах максимальної напруженості електричного поля на границі кремній-оксид кремнію, яка досягає 6,8·10 4 В/см для очищених окисленням та ультразвуковою обробкою структур макропористого кремнію з товщиною оксиду 10 нм та нанопокриттям наночастинок CdS товщиною 30 нм. Квантовий вихід фотолюмінесценції наночастинок збільшується протягом перших 2-х тижнів завдяки випаровуванню молекул води, досягаючи 28%. Інтенсивність та положення смуг фотолюмінесценції визначаються процесами випромінювальної рекомбінації екситону через поверхневі стани квантових точок, які взаємодіють як з полімерним оточенням, так і з границею "CdS - SiO2/Si". Розроблена технологія дозволяє одночасно збільшити квантовий вихід фотолюмінесценції, підвищити міцність структур та захистити поверхню від деградації. Одержані результати дозволять виготовити ефективні світловипромінюючі структури на основі нанокристалів на поверхні макропористого кремнію для концентраторів та джерел "білого" світла, повністю неорганічних багатобарвних світлодіодів для кремнієвої мікро- та нанофотоніки. Опис продукції У ході виконання роботи відпрацьовані технологічні операції окислення структур макропористого кремнію, визначено вплив очистки поверхні структур шляхом їх окислення та травлення оксиду на зниження концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації. Одержана висока інтенсивність фотолюмінесценції завдяки збільшенню потоку електронів з кремнієвої матриці у напрямку шару нанокристалів в умовах максимальної напруженості електричного поля на границі кремній-оксид кремнію. Квантовий вихід фотолюмінесценції наночастинок збільшується протягом перших 2-х тижнів завдяки випаровуванню молекул води, досягаючи 28%. Розроблена технологія дозволяє одночасно збільшити квантовий вихід фотолюмінесценції, підвищити міцність структур та захистити поверхню від деградації. Одержані результати дозволять виготовити ефективні світловипромінюючі структури на основі нанокристалів на поверхні макропористого кремнію для концентраторів та джерел "білого" світла, повністю неорганічних багатобарвних світлодіодів для кремнієвої мікро Автори роботи Карачевцева Людмила Анатоліївна Кучмій Степан Ярославович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити