Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U008232, 0114U002677 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення плазмової технології осадження наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні НВЧ приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Заяць Микола Сергійович, Дата реєстрації 24-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом реактивного магнетронного розпилення відповідних мішеней (установка "Катод -1М ") виготовлені експериментальні зразки наноструктурованих шарів BN та AlN, які формуються на пластинах із кремнію, кварцу, сапфіру та інших матеріалів та проведено комплексне тестування їх параметрів. Проведено коригування технологічних режимів низькотемпературного плазмового осадження для формування наноструктурованих шарів BN та AlN з необхідними структурно-морфологічними, оптичними та електричними властивостями для їх практичного використання (деталі таких процедур на даний момент вивчаються та можуть скласти предмет ноу-хау). Модернізована установка "Катод -1М " дозволяє в одному технологічному циклі виготовляти багатошарові структури із заданими функціональними характеристиками, необхідними для виготовлення пристроїв сучасної електронної та оптоелектронної техніки. Опис продукції оригінальна технологія отримання наноструктурованих шарів AlN та BN і шаруватих структур на їх основі з параметрами, які є не гіршими або перевищують парметри відомих з літератури аналогів, про які відомо з літератури. Автори роботи В.Б. Лозінський В.Г. Бойко Д.С. Гавриков М.І. Клюй М.О. Семененко М.С. Заяць О. М. Кабалдін С. М. Заяць Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити