Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U008246, 0113U004863 , Науково-дослідна робота Назва роботи Високороздільна X-променева діагностика одномірних та планарних наноструткур GaN на підкладках кремнію Назва етапу роботи Керівник роботи Кучук Андріан Володимирович, Дата реєстрації 25-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В роботі представлено результати досліджень структурної досконалості епітаксійних GaN структур вирощених на Si(111) підкладці. Структурна діагностика проводилась методами високороздільної Х-роменевої дифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії. Досліджено вплив буферних шарів на деформаційний та дисллокаційний стан тонких епітаксійних плівок GaN на Si(111). Експериментально та теоретично досліджено вплив температури нітридизації Si(111) підкладки на розміри, орієнтацію та деформаційний стан НД GaN. За допомогою скануючої електронної мікроскопії досліджено морфологію та структурні особливості GaN/НД-GaN/Si наноструктур. Опис продукції На основі кінематичної теорії дифракції х-хвиль було розроблено програмне забезпечення для розрахунку (002)2teta/teta КДВ. Програма дозволяє враховувати влив розподілу діаметрів НД GaN на картину дифракції, маніпулювати профілями макро- та мікро-деформацій а також глибиною релаксації деформації. Розроблена методика дозволяє враховувати вплив буферних підкладок на густину гвинтових дислокацій,крайових дислокацій, розмір ОКР, та інших структурних параметрів НД Автори роботи Поліщук Юлія Олегівна Станчу Григорій Вікторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити