Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U008400, 0110U003776 , Науково-дослідна робота Назва роботи Модифікація структури і фізичні процеси в халькогалогенідних сегнетоелектричних нанокомпозитах. Назва етапу роботи Керівник роботи Рубіш В.М., Дата реєстрації 23-12-2014 Організація виконавець Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації Інституту проблем реєстрації інформації НАН України Опис етапу Визначені технологічні режими синтезу стекол і напилення плівок в системах A2VB3VI-AVBVICVII і GeB2VI -AVBVICVII (AV - As, Sb; BVI - S, Se; CVII - I) та режими відпалу і лазерної засвітки, в результаті яких одержані нано- і мікроструктуровані сегнетоелектричні матеріали з контрольованими характеристиками. На поверхні плівок As-Sb-S-I сформовані масиви нанокристалів сульфойодиду сурми з середнім діаметром 150-300 нм та висотою 20-50 нм. Одержані результати можуть бути використані при створенні сегнетоситалів. сегнетоелектричних елементів пам'яті і датчиків різного призначення. Опис продукції Розвинуто фізичні уявлення про структуру і властивості стекол і аморфних плівок на основі сегнетоелектричних сполук типу AVBVICVII, зясовані механізми утворення, природа і морфологія нанофаз в діелектричних матрицях. Визначені режими термообробки і лазерної засвітки стекол і плівок для отримання сегнетоелектричних нано- і мікрокомпозитів з контрольованими характеристиками, які можути бути використані при створенні нових функціональних матеріалів. Автори роботи Риган Михайло Юрійович Штець Петро Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити