Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U008466, 0110U006284 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи технології формування гетерогенних наноструктур для потреб спінтроніки на основі напівметалевих феромагнетиків Назва етапу роботи Керівник роботи Кудрявцев Юрій Володимирович, Дата реєстрації 24-12-2014 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України Опис етапу Технологія формування гетероструктур на основі напівметалевих феромагнетиків розроблена. Встановлено, що атомний безлад в феромагнітних електродах зі сплавів Гейслера викликає зменшення намагніченості та ступеню спінової поляризації електронів провідності. Одержані магнітні тунельні контакти на основі напівметалевих феромагнітних сплавів Гейслера демонструють значний магнітоопір. Цей факт відкриває перспективи практичного використання таких гетероструктур в якості сенсорів магнітного поля. Опис продукції Розроблено фізичні основи технології формування магнітних тунельних контактів (МТК) на основі напівметалевих феромагнітних сплавів Гейслера (СГ) (Fe2MnGa, Co2CrFeAl). Для реалізації потенційних фізичних властивостей СГ в МТК слід формувати в них найбільш впорядковану структуру типу L21 або B2. Серед можливих методів формування бар'єрного шару між феромагнітними електродами в МТК найбільш керованим та відтворюваним виявилось електронно-променеве осадження шару MgO. Одержані МТК в невеликих магнітних полях при кімнатній температурі демонструють значний магнітоопір (4 - 20 %), що відкриває перспективи їх практичного використання в якості сенсорів магнітного поля. Автори роботи Єрмоленко Володимир Миколайович Уваров Віктор Миколайович Урубков Ілля Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити