Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U008883, 0109U004886 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення методів моделювання електричних, оптичних та теплових процесів в новітніх світловипромінювальних матеріалах, гетероструктурах та світлодіодах з метою оптимізації їх базових характеристик Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Кочелап В’ячеслав Олександрович, Дата реєстрації 08-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено методи моделювання електричних, оптичних, теплових процесів в світлодіодних структурах на основі квантових гетероструктур з напівпровідників групи III-V та нітридів групи III для аналізу їх властивостей та характеристик з метою визначення оптимальних технічних рішень у супровід експериментальних, технологічних, конструкторських робіт по створенню високоефективних світлодіодів для енергозберігаючих світлодіодних освітлювальних систем, що проектуються. Одержані результати свідчать про перспективність даного напрямку розробок і рекомендуються для використання у практиці НДР при створенні новітніх світлодіодних технологій. Опис продукції Розроблено методи моделювання електричних, оптичних, теплових процесів в світлодіодних структурах на основі квантових гетероструктур з напівпровідникових сполук групи III-V та нітридів групи III, що є сумісними з сучасними технологіями наноелектроніки та оптоелектроніки. Рекомендується для використання у практиці НДР при розробках новітніх світлодіодних технологій, зокрема енергозберігаючих світлодіодних джерел світла та освітлювальних систем на їх основі. Автори роботи Конакова Р.В. Коротєєв В.В. Кухтарук С.М. Локоть Л.О. Наумов А.В. Наумов В.В. Стриха М.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович, Кочелап В’ячеслав Олександрович. Розроблення методів моделювання електричних, оптичних та теплових процесів в новітніх світловипромінювальних матеріалах, гетероструктурах та світлодіодах з метою оптимізації їх базових характеристик. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U008883
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19