Реєстраційний номер
0214U008910,
0110U004551
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Власенко Олександр Іванович,
Дата реєстрації
10-12-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Встановлено фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні CdTe та твердих розчинів на його основі, GaAs, Si при наносекундному лазерному опроміненні, що важливо для підвищення ефективності сенсорних структур. З'ясовано фізико-технологічні умови формування нанорозмірного бар'єрного шару CdTe, сильно легованого індієм при наносекундному опроміненні структури In/CdTe.
Опис продукції
З'ясовано фізико-технологічні умови формування нанорозмірного бар'єрного шару CdTe, сильно легованого індієм при наносекундному опроміненні структури In/CdTe. Такі бар'єрні структури використовуються для створення детекторів іонізуючого випромінювання з високими спектрометричними характеристиками. Отримані фізичні механізми утворення наноструктур на поверхні CdTe при імпульсному лазерному опроміненні дають змогу підвищити ефективність та функціональність фотоелектронних і сенсорних структур.
Автори роботи
Велещук Віталій Петрович
Власенко Зоя Костянтинівна
Генцарь Петро Олексійович
Гнатюк Володимир Анастасійович
Киселюк Максим Павлович
Левицький Сергій Миколайович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
