Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0215U000163, 0114U004124 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування і властивості гетероструктур Si/SiO2/Si з вбудованими в діелектрик нанокластерами кремнію: експеримент, моделювання, вплив вуглецю Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Володимир Григорович, Дата реєстрації 28-01-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Вперше спостерігалась кінетика формування наночасток кремнію в процесі термостимульованого розділення фаз плівки SiOx. В наближенні дифузійної моделі формування сферичних кремнієвих частинок в процесі термостимульованого розділення фаз отримано коефіцієнти дифузії атомів плівки SiOx. В спектрах ФЛ плівок SiOx спостерігаються дві основні смуги поблизу 900 та 750 нм, що відповідають кристалічним та аморфним частинкам кремнію, відповідно. При температурах 300-500 оС відбувається формування аморфної фази кремнію, при 900-1000 оС - кристалічної. Запропоновано модель утворення нановключень кремнію, вбудованих в оксидну матрицю. Показано, що імплантація вуглецю приводить до появи додаткових смуг випромінювання нанокластерів у видимій області спектру. Запропоновано фізичні механізми, що пояснюють спостережувані ефекти. Опис продукції Вперше спостерігалась кінетика формування наночасток кремнію в процесі термостимульованого розділення фаз плівки SiOx. В наближенні дифузійної моделі формування сферичних кремнієвих частинок в процесі термостимульованого розділення фаз отримано коефіцієнти дифузії атомів плівки SiOx. В спектрах ФЛ плівок SiOx спостерігаються дві основні смуги поблизу 900 та 750 нм, що відповідають кристалічним та аморфним частинкам кремнію, відповідно. При температурах 300-500 оС відбувається формування аморфної фази кремнію, при 900-1000 оС - кристалічної. Запропоновано модель утворення нановключень кремнію, вбудованих в оксидну матрицю. Показано, що імплантація вуглецю приводить до появи додаткових смуг випромінювання нанокластерів у видимій області спектру. Запропоновано фізичні механізми, що пояснюють спостережувані ефекти. Автори роботи Лісовський І.П. Литовченко В.Г. Мельник В.П. Оберемок О.С. Попов В.Г Романюк Б.М. Саріков А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Литовченко Володимир Григорович. Формування і властивості гетероструктур Si/SiO2/Si з вбудованими в діелектрик нанокластерами кремнію: експеримент, моделювання, вплив вуглецю. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U000163
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19