Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0215U000311, 0114U002520 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення і створення технологій вирощування багатошарових дифракційних граток для оптохімічних сенсорів та їх апробація на підприємствах електронної техніки" Етап 1 : "Підвищення чутливості сенсорних систем на основі періодичного масиву металевих нанодротів при введенні хвилеводного шару за рахунок взаємодії між локальними (поверхневими) плазмонними збудженнями та хвилеводними модами" Назва етапу роботи Керівник роботи Дмитрук Микола Леонтійович, Дата реєстрації 05-02-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Продемонстровано збільшення інтенсивності повного пропускання р-поляризованого випромінювання у напівпровідникову підкладку на 5% при зменшенні ширини резонансного максимуму майже на 50% для багатошарової поверхнево-бар'єрної структури LB(20нм)/Au(40нм)/ITO(260нм)/Au(20нм)/GaAs ) з періодичним профілюванням поверхні (синусоїда, період 700 нм, висота профілювання 60нм) у порівнянні із структурою LB (40нм)/Au(60нм)/GaAs, за рахунок взаємодії ППП, яка збуджується на верхній металевій плівці, з ХМ, яка збуджується в діелектричному шарі між двох металевих плівок. Отримано збільшення чутливості резонансних характеристик сенсорної структури до зміни показника заломлення оточуючого середовища (у діапазоні n =1 ) з 760 nm/RIU до 1150 nm/RIU, відповідно, що можна використати при створенні сенсора для визначенні домішок у повітрі. Опис продукції Описано метод збільшення інтенсивності повного пропускання р-поляризованого випромінювання у напівпровідникову підкладку на 5% при зменшенні ширини резонансного максимуму майже на 50% для багатошарової поверхнево-бар'єрної структури LB(20нм)/Au(40нм)/ITO(260нм)/Au(20нм)/GaAs ) з періодичним профілюванням поверхні (синусоїда, період 700 нм, висота профілювання 60нм) у порівнянні із структурою LB (40нм)/Au(60нм)/GaAs, за рахунок взаємодії ППП, яка збуджується на верхній металевій плівці, з ХМ, яка збуджується в діелектричному шарі між двох металевих плівок. Отримано збільшення чутливості резонансних характеристик сенсорної структури до зміни показника заломлення оточуючого середовища (у діапазоні n =1 ) з 760 nm/RIU до 1150 nm/RIU, відповідно, що можна використати при створенні сенсора для визначення домішок у повітрі. Автори роботи Коровін Олександр Вадимович Мамикін Сергій Васильович Соснова Марія Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Дмитрук Микола Леонтійович. "Розроблення і створення технологій вирощування багатошарових дифракційних граток для оптохімічних сенсорів та їх апробація на підприємствах електронної техніки" Етап 1 : "Підвищення чутливості сенсорних систем на основі періодичного масиву металевих нанодротів при введенні хвилеводного шару за рахунок взаємодії між локальними (поверхневими) плазмонними збудженнями та хвилеводними модами". (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U000311
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18