Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U000371, 0110U003775 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування телуровмісних напівпровідникових нанокристалів і утворень кластерного типу в композитах та модифікація їх фізичних характеристик дією іонізуючого випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Гомоннай Олександр Васильович, Дата реєстрації 11-02-2015 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу Показано, що утворення потрійних (CdSe1-xTex, Cd1-xZnxSe) та четвірних (CdS1-x-ySexTey) нанокристалів А2В6 у матриці боросилікатного скла може супроводжуватись осадженням молекулярних димерів Se2 чи Te2 і більших утворень, охарактеризовано температурні умови процесів їх формування. Досліджено вплив опромінення електронами з енергією 7-10 МеВ та рентгенівським випромінюванням на оптичне поглинання та фотолюмінесценцію композитів з нанокристалами А2В6 у матрицях боросилікатного скла, желатину і поліакриламіду. Опис продукції З'ясовано фізико-хімічні основи отримання потрійних та четвірних телуровмісних нанокристалів А2В6 у матриці боросилікатного скла. Запропоновано застосування радіаційно стабільних композитів з нанокристалами А2В6 у матрицях боросилікатного скла, желатину і поліакриламіду при розробці люмінесцентних приладів на їх основі для використання в умовах дії іонізуючого випромінювання. Автори роботи Ажнюк Юрій Миколайович Лопушанський Василь Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити