Реєстраційний номер
0215U000609,
0114U001984
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення методів дослідження контактних систем потужних світлодіодів з використанням гетероструктур тринітридів третьої групи
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Конакова Раїса Василівна, Власенко Олександр Іванович,
Дата реєстрації
10-03-2015
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
І. Проведено дослідження надійності світлодіодних модулів виготовлених в умовах вітчизняного виробництва на основі чіпів фірми «Seoul Semiconductor» до заливки їх люмінофором при струмі 300 мА та напрацюванні протягом 9060 годин: 6800 годин при температурі тепловідводу 37°С та 2260 при температурі тепловідводу 50°С. Деградація рівня інтегрального світлового потоку за дослідний період склала 5,6%. Деградаційні процеси описано експоненційною функцією та розраховано її параметри, що дозволило прогнозувати деградацію світлодіодного модуля у діапазоні робочих температур тепловідводу. ІІ. Для експресної та інформативної діагностики потужних світлодіодів було розроблено експрес-метод контролю електрично активних дефектів у InGaN/GaN гетероструктурах, який оснований на виникненні випромінювання мікроплазм при зворотних напругах, оскільки іонізація та послідуюча рекомбінація носіїв, яка супроводжується люмінесценцією, відбувається на дефектах та дефектних областях. Метод є неруйнівним та дозоляє візуалізувати критичні протяжні дефекти.
Опис продукції
І.Проведено дослідження надійності світлодіодних модулів виготовлених в умовах вітчизняного виробництва на основі чіпів фірми «Seoul Semiconductor» до заливки їх люмінофором при струмі 300 мА та напрацюванні протягом 9060 годин: 6800 годин при температурі тепловідводу 37°С та 2260 при температурі тепловідводу 50°С. Деградація рівня інтегрального світлового потоку за дослідний період склала 5,6%. Деградаційні процеси описано експоненційною функцією та розраховано її параметри, що дозволило прогнозувати деградацію світлодіодного модуля у діапазоні робочих температур тепловідводу. ІІ.Для експресної та інформативної діагностики потужних світлодіодів розроблявся експрес-метод контролю електрично активних дефектів у InGaN/GaN гетероструктурах, який оснований на виникненні випромінювання мікроплазм при зворотних напругах, оскільки іонізація та послідуюча рекомбінація носіїв, яка супроводжується люмінесценцією, відбувається на дефектах та дефектних областях. Метод є неруйнівним та дозоляє візуалізувати критичні
Автори роботи
Велещук В.П.
Киселюк М.П.
Кудрик Я.Я.
Сліпокуров В.С.
Шинкаренко В.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
