Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U000609, 0114U001984 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення методів дослідження контактних систем потужних світлодіодів з використанням гетероструктур тринітридів третьої групи Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 10-03-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу І. Проведено дослідження надійності світлодіодних модулів виготовлених в умовах вітчизняного виробництва на основі чіпів фірми «Seoul Semiconductor» до заливки їх люмінофором при струмі 300 мА та напрацюванні протягом 9060 годин: 6800 годин при температурі тепловідводу 37°С та 2260 при температурі тепловідводу 50°С. Деградація рівня інтегрального світлового потоку за дослідний період склала 5,6%. Деградаційні процеси описано експоненційною функцією та розраховано її параметри, що дозволило прогнозувати деградацію світлодіодного модуля у діапазоні робочих температур тепловідводу. ІІ. Для експресної та інформативної діагностики потужних світлодіодів було розроблено експрес-метод контролю електрично активних дефектів у InGaN/GaN гетероструктурах, який оснований на виникненні випромінювання мікроплазм при зворотних напругах, оскільки іонізація та послідуюча рекомбінація носіїв, яка супроводжується люмінесценцією, відбувається на дефектах та дефектних областях. Метод є неруйнівним та дозоляє візуалізувати критичні протяжні дефекти. Опис продукції І.Проведено дослідження надійності світлодіодних модулів виготовлених в умовах вітчизняного виробництва на основі чіпів фірми «Seoul Semiconductor» до заливки їх люмінофором при струмі 300 мА та напрацюванні протягом 9060 годин: 6800 годин при температурі тепловідводу 37°С та 2260 при температурі тепловідводу 50°С. Деградація рівня інтегрального світлового потоку за дослідний період склала 5,6%. Деградаційні процеси описано експоненційною функцією та розраховано її параметри, що дозволило прогнозувати деградацію світлодіодного модуля у діапазоні робочих температур тепловідводу. ІІ.Для експресної та інформативної діагностики потужних світлодіодів розроблявся експрес-метод контролю електрично активних дефектів у InGaN/GaN гетероструктурах, який оснований на виникненні випромінювання мікроплазм при зворотних напругах, оскільки іонізація та послідуюча рекомбінація носіїв, яка супроводжується люмінесценцією, відбувається на дефектах та дефектних областях. Метод є неруйнівним та дозоляє візуалізувати критичні Автори роботи Велещук В.П. Киселюк М.П. Кудрик Я.Я. Сліпокуров В.С. Шинкаренко В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити