Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U000784, 0111U006176 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електро-фізичних, механічних, теплових і оптичних властивостей напівпровідників, напівпровідникових і металічних плівок. Назва етапу роботи Керівник роботи Тулупенко Віктор Миколайович, Дата реєстрації 19-05-2015 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу Об'єкт дослідження: Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 квантова ями, легована фосфором і вирощена в 100 кристалографічному напрямку. Метою роботи є розрахунок енергії зв'язку домішок Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 квантової ями з урахуванням фонових домішок в бар'єрах. Предмет дослідження - зміна домішкової енергії звязку в дельта-легованих квантових ямах внаслідок іонізації дельта-шару домішок та фонових домішок в бар'єрах. Метод дослідження - самоузгоджене розв'язання рівнянь Шредінгера та Пуасона, а також рівняння електронейтральності. У даному звіті теоретично досліджено вплив місця розташування атома домішки на енергіє зв'язку домішки для випадку дельта-легованих Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 КЯ. Енергія зв'язку домішок була розрахована як з урахуванням фонових домішок в бар'єрах, так і без нього. Показано, що при підвищені температури потенціал Хартрі, що утворюється вільними електронами та іонізованими атомами домішок у дельта-слої, накладається на енергетичний профіль квантової ями, утворений гетеропереходами. Найбільш сильне викривлення енергетичного профілю спостерігається при наявності фонових домішок в бар'єрах. В результаті маємо нову квантову яму з новим набором енергетичних підрівнів та іншим значенням енергії іонізації домішок. Розрахунки були виконані для випадку низьких концентрацій домішок у дельта-слої, що дозволяє враховувати атоми домішок я ізольовані. Було показано, що величина енергії зв'язку домішок залежить від ступеня іонізації домішок у дельта-слої, причому найбільший ефект спостерігається у випадку легування в область краю квантової ями. У випадку наявності фонових домішок в бур'єрах енергія іонізації виявляється залежною ще й від концентрації фонових домішок. Було показано, що зміна енергетичного спектру квантової ями може бути використана для створення нових оптичних приборів (оптичних модуляторів). Опис продукції Теоретично досліджено вплив місця розташування атома домішки на енергіє зв'язку домішки для випадку дельта-легованих Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 КЯ. Енергія зв'язку домішок була розрахована як з урахуванням фо-нових домішок в бар'єрах, так і без нього. Показано, що при підвищені температури потенціал Хартрі, що утворюється вільними електронами та іонізованими атомами домішок у дельта-слої, накладається на енергетичний профіль квантової ями, утворений гетеропереходами. Найбільш сильне викривлення енергетичного профілю спостерігається при наявності фонових домішок в бар'єрах. В результаті маємо нову квантову яму з новим набором енергетичних підрівнів та іншим значенням енергії іонізації домішок. Розрахунки були виконані для випадку низьких концентрацій домішок у дельта-слої, що дозволяє враховувати атоми домішок я ізольовані. Було показано, що величина енергії зв'язку домішок залежить від ступеня іонізації домішок у дельта-слої, причому найбільший ефект спостерігається у випадку легування в область краю квант Автори роботи Акімов Володимир Ігорович Білих Валерій Георгійович Васильєва Ірина Вікторівна Демедюк Роман Олександрович Дмитриченко Татьяна Вікторівна Рижков Павло Віталійович Тулупенко Віктор Миколайович Тютюнник Антон Михайлович Фоміна Оксана Сергіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити