Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0215U001004, 0110U006027 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-01-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджені узгоджені колективні коливання електронів та оптичних фононів в нерівноважних умовах. Колективна взаємодія носіїв заряду з оптичними коливаннями кристалічної ґратки приводить до перебудови дисперсійних кривих в області залишкового випромінювання і залежить від розмірності системи. Аналіз дисперсійних кривих для 3ДЭГ в умовах взаємодії з оптичними фононами виявив, що в однорідному середовищі, при певних частотах має місце конвективна нестійкість та підсилення оптичних коливань дрейфом носіїв заряду. В нанорозмірних n+-i-n+ діодах, що зроблені з полярного матеріалу, взаємодія з полярними оптичними фононами кардинально змінює надвисокочастотний електронний транспорт, зокрема в вузькій області частот, де діелектрична проникливість має резонанс, з’являються частотні «вікна» від’ємної диференційної провідності. Цей ефект може бути використаний для підсилення та генерації електромагнітного випромінювання терагерцового частотного діапазону (5 – 12 ТГц). Розглянута гібридна система, що складається з ізотропної наночастинки та гетероструктури з квантовою ямою. Опис продукції Плазмонні наноструктури для використання в якості генераторів ТГц і суб-ТГц випромінювання Автори роботи Індутний І.З. Барлас Т.Р. Грицаєнко Я.О. Данько В.А. Дмитрук М.Л. Жовмір С.С. Кондратенко О.С. Коротєєв В.В. Котова Н.В. Кочелап В.А. Кухтарук С.М. Лящук Ю.М. Мамикін С.В. Минько В.І. Михайловська К.В. Назаренкова Т.І. Науменко Д.О. Романюк В.Р. Сопінський М.В. Стерлігов В.А. Стрельчук В.В. Шепелявий П.Є. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U001004
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18