Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U001121, 0112U000560 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні явища в варізонних діодах Ганна мм - та субмм діапазонів зі статичним доменом і ударною іонізацією Назва етапу роботи Керівник роботи Аркуша Юрий Васильевич, Дата реєстрації 21-01-2015 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - процеси генерації електромагнітних хвиль приладами, працюючих на ефекті міждолинного переносу електронів (МПЕ) з урахуванням ударної іонізації на основі складних варизонних напівпровідників А3В5. Мета роботи - вивчення фізичних процесів, що пов'язані з МПЕ, ударною іонізацією та іншими транспортними явищами у варизонних напівпровідниках А3В5 для прогнозування і створення нових напівпровідникових приладів. Метод дослідження - числові експерименти за допомогою трьох температурної моделі варизонних напівпровідникових приладів з МПЕ і ударною іонізацією зона-зона. Основні результати та їх новизна: 1. У проекті запропоновано математичну модель приладів з МПЕ і ударною іонізацією зона-зона, яка враховує залежність параметрів варизонних напівпровідників від координати. 2. У варізонних приладах виявлена і пояснена фізична природа нових ефектів: - виникнення електричних доменів в однорідно легованих варизонних приладах, в приладах з убутними координатними залежностями концентрації нейтральної домішки, сплавного потенціалу або процентного вмісту бінарної компоненти в багатокомпонентних сполуках; - визначено, що перспективними є діоди Ганна (ДГ) на основі варизонних з'єднань Alx (z) Ga1-x (z) As-GaAs-Ga0,6In0,4As. 3. Визначені умови виникнення статичних доменів в однорідно легованих варизонних напівпровідників. 4. Отримані вольт-амперні характеристики приладів з Alx (z) Ga1-x (z) As -GaAs з плавним гетеропереходів і різним профілем легування. 5. Показано, що ударна іонізація не впливає на вихідну потужність, ефективність і частоту генерації приладів. Ступінь впровадження: Матеріали дослідження використовувалися у навчальному процесі на кафедрі фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Рекомендації щодо використання результатів роботи: - Практична цінність отриманих результатів полягає в тому, що вони мають фундаментальний характер і дають можливість почати дослідження ударної іонізації і генерації шуму в пристроях на основі варизонних напівпровідників. - Результати по застосуванню варизонних напівпровідників BInN, BGaN, BAlN, AlGaInAs і AlInPAs в діодах Ганна і в варізонних приладах зі статичним доменом є новими і ще не мають аналогів. - Область застосування результатів проекту є радіофізика, радіоастрономія, радіолокація, радіозв'язок, твердотільна електроніка, мікроелектроніка, наноелектроніка, оптоелектроніка, терагерцова електроніка. Опис продукції Визначено умови виникнення статичних доменів в однорідно легованих варизонних напівпровідниках. Досліджено процеси генерації електромагнітних хвиль основної гармоніки приладами з міждолинним переносом електронів на основі варизонних AlGaAs при врахуванні ударної іонізації зона-зона. Отримані результати сприяють розумінню фізичних процесів, що відбуваються в приладах на основі варизонних напівпровідників. Автори роботи Анікіна К. Коробов А. Коробов В. Сарвір А. Стороженко І. Шамота І. Ярошенко О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити