Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U001233, 0113U001249 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення високоякісних електронних вимірювачів температури з напівпровідниковими термосенсорами на базі кремнієвих p-n переходів Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 03-02-2015 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Теоретичні дослідження та експериментальні дані, отримані в ході виконання науково-дослідної роботи виявили, що: - опромінення транзисторних термосенсорів Х-променями призводить до протікання ряду конкуруючих процесів: активація наявних швидких поверхневих станів, впорядкування дефектної структури, генерація радіаційних дефектів в приповерхневому шарі та об'ємі напівпровідника; - наслідком перебудови дефектів є зміни вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик діодних структур, які вказують на покращення структурної досконалості переходу; - експозиція діодних структур у постійному магнітному полі (В<1 Тл) стимулює перехід деякої частини структурних дефектів у метастабільний стан, який є чутливим до дії інших зовнішніх чинників; - термічний відпал та часова релаксація опромінених (D<5000 Гр) транзисторних термосенсорів зменшує їх чутливість до подальшої дії радіації. На підставі експериментальних досліджень запропоновано фізичну модель процесів взаємодії структурних і радіаційних дефектів у монокристалах Sі, в основі якої є радіаційно-стимульована перебудова метастабільних дефектів в об'ємі та приповерхневому шарі напівпровідника. Вирішення проблеми зменшення концентрації електрично активних дефектів, або збільшення їх стабільності через перехід дефектів із метастабільного стану в стабільний, дозволить покращити експлуатаційні характеристики пристроїв твердотільної електроніки. Отримані в роботі наукові та практичні результати створюють основи для виготовлення конкурентоспроможних приладів на основі сенсорів з покращеними експлуатаційними та метрологічними характеристиками. Опис продукції Теоретичні та експериментальні дослідження свідчать про вплив дислокацій на механічні, електричні та ряд інших властивостей твердих тіл. Концентрації дислокацій по різному впливають на фізичні властивості напівпровідникового монокристала, що вимагає проводити дослідження зразків з різною їх густиною. Для дослідження впливу дислокацій на електрофізичні характеристики напівпровідникових кристалів розроблено та виготовлено пристрій для термомеханічного збудження дислокацій методом одновісного стиску, який дозволяє вводити в досліджуваний матеріал прогнозовану густину дислокацій. Автори роботи Грипа Андрій Сергійович Дідик Роман Іванович Кушлик Маркіян Олегович Лис Роман Мирославович Павлик Богдан Васильович Слободзян Дмитро Петрович Шикоряк Йосип Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити