Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U001719, 0111U006682 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні основи створення та методи дослідження нанорозмірних структур з керованими параметрами для потреб енергокомплексу. Назва етапу роботи Керівник роботи Находкін Микола Григорович, Дата реєстрації 27-04-2015 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Встановлено, що пошарова адсорбція атомів гадолінію (Gd) та атомарного кисню (O) на поверхні Si(100) дозволяє отримувати шаруваті системи із окислених атомів Gd. Відпал такої системи при 600°С приводить до утворення стабільної поверхні з роботою виходу <1.0 еВ. Така система може бути використана для створення джерел спін поляризованих електронів та для ефективних фотоемітерів в діапазоні вакуумного ультрафіолету. Показано доцільність використання в якості чутливого елементу до газового середовища гетероструктур In2O3+(5%)SnО2/ncSi. Досліджено вплив освітлення (LED: 350-650нм) на їх електрофізичні властивості. Освітлення збільшує газову чутливість. Проведено дослідження магніто-транспортних ефектів у нанометрових плівках пермалою в широкому діапазоні зовнішніх магнітних полів і орієнтацій зразків. Виявлено ефект детектування мікрохвильового випромінення для області феромагнітного резонансу і спін-хвильових збуджень. Вивчено ефекти магніто-транспорту в режимі паралельної накачки, проведена оцінка зміни магнітоопору. Теоретично визначені та експериментально перевірені умови та обмеження коректного використання ефекту Талбота в сенсорах оптичного хвильового фронту. Запропоновано та експериментально продемонстровано новий метод вимірювання хвильового фронту, що грунтується на спостереженні ефекту Талбота при адаптації дифракційної гратки до аберації досліджуваної хвилі. Опис продукції Вперше досліджено адсорбцію гадолінію та атомарного кисню на поверхні Si(100). Встановлено, що пошарова адсорбція атомів Gd та O на поверхні Si(100) дозволяє отримувати шаруваті системи із окислених атомів Gd. Відпал такої системи при 600°С приводить до утворення стабільної поверхні з роботою виходу < 1.0 еВ. Система Si-O-Gd з малим значенням роботи виходу може бути використана для створення джерел спін поляризованих електронів та для ефективних фотоемітерів в діапазоні вакуумного ультрафіолету. Показано доцільність використання в якості чутливого елементу до газового середовища гетероструктур In2O3+(5%)SnО2/ncSi, створених на основі нанострукторованого кремнію. Досліджено вплив освітлення (LED: 350-650нм) на їх електрофізичні властивості... Визначено коефіцієнти оптичного пропускання та поглинання плівок різних товщин методом спектральної еліпсометрії відбиття та проаналізовано особливості залежності зміни коефіцієнта поглинання плівки. Максимуми поглинання (405, 467, 526 та 608 нм), можуть відповідати Автори роботи Афанасьєва Т. Бардамид О. Голобородько Н. Горячко А. Гулий О. Коваль І. Колесник О. Костюкевич О. Кулик С. Лень Ю. Лушкін О. Марущак Н. Мелков Г. Мельник П. Родіонова Т. Сидоров Р. Сутягіна А. Телега В. Федорченко М. Якимов К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити