Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0215U001728, 0113U005879 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та пристрою для нанесення металевих контактів на поверхні напівпровідникових монокристалічних зразків СdZnTe і полікристалічних CVD алмазних плівок із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми Назва етапу роботи Керівник роботи Таран Валерій Семенович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-04-2015 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Методом вакуумно-дугового напилення з асистуваним ВЧ зміщенням виготовлено детектори іонізуючих випромінювань на основі p-CVD алмазів з двошаровими контактами Cr/нержавіюча сталь и Cr/Cu. Нанесення покриттів у вакуумно-дугового установці з асистуваним високочастотним полем дозволило наносити покриття на діелектричні зразки при низькій температурі до 150° С.Відпрацьована методика і виготовлений пристрій для зменшення темнових струмів детекторів і збільшення адгезійних властивостей контактів. Метод дозволяє регулювати товщину різних напилюваних металів до 1,5 мкм. Крім того, він дає можливість збільшити адгезію і досягати високої суцільності та безпористості покриттів в порівнянні з традиційним способом створення контакту хімічним осадженням з розчину.Виготовлено пристрій для вимірювання адгезії контактних покриттів. Досліджені їх електрофізичні та детектуючі характеристики при опроміненні alfa-частинками джерела 239Pu. Опис продукції Проведено наукові та технологічні дослідження і показано ефективність виготовлених детекторів іонізуючих випромінювань на основі p-CVD алмазів з двошаровими контактами Cr/нержавіюча сталь и Cr/Cu. Нанесення покриттів у вакуумно-дуговій установці з асистуваним високочастотним полем дозволило наносити покриття на діелектричні зразки при низькій температурі до 150° С. Відпрацьована методика і виготовлений пристрій для зменшення темнових струмів детекторів і збільшення адгезійних властивостей контактів. Автори роботи Березов Д.М. Вєрьовкін А.А. Губарєв С.П. Клосовський А.В. Кутній В.Є. Кучумов Ю.М. Муратов Р.М. Наконечний Д.В. Незовибатько Ю.Н. Опалєва Г.П. Панаско Т.О. Рибка О.В. Таран В.С. Тимошенко О.І. Холомєєв Г.А.. Швец О.М. Щебетун А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Таран Валерій Семенович. Розробка технології та пристрою для нанесення металевих контактів на поверхні напівпровідникових монокристалічних зразків СdZnTe і полікристалічних CVD алмазних плівок із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми. (Етап: ). Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України. № 0215U001728
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18