Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U001796, 0111U006258 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи процесів формування напівпровідникових наноструктур для пристроїв електроніки і фотоніки Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-05-2015 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Виявлено спінзалежний ефект в тестових структурах із глибокими центрами, який більш ніж на порядок перевищує спінзалежний ефект у пластично деформованому кремнії. Вдосконалено методику спектроскопії повної провідності з метою визначення параметрів локальних рівнів в структурах з нанокластерами Si в діелектричних плівках SiO2. Доведено, що явище поверхневої рекомбінації у напівпровіднику, відображуючи хімічні та адсорбційні процеси на границі поділу, може слугувати ключовим етапом перетворення інформації про цю речовину в електричні сигнали. Запропоновано технологію отримання нанокомпозитних структур Si+SiO2 та Si+TiO2. Механізми проходження носіїв заряду в таких структурах визначаються властивостями нанокристалітів кремнію та процесами взаємодії на межзерених границях. Розроблено технологічні процеси отримання плівок оксинітриду шляхом термічного росту в N2O. Вбудова азоту в оксинітридній плівці приводить до формування електронних пасток, які служать додатковими центрами захоплення заряду. Гетероструктури GaAs/Si з квантовими точками виявляють довготривалу кiнетику фотоструму та ефект залишкової провiдностi. Опис продукції Створено моделі впливу спінзалежних явищ на протікання процесів обміну носіями між глибоко-рівневими дефектами та дозволеними енергетичними зонами. Вдосконалено методику спектроскопії повної провідності з метою визначення параметрів нанокластерів Si в діелектричних плівках SiO2, продемонстрована можливість диференціального визначення механізмів накопичення заряду в нанокластерах та інтерфейсних станах на границях цих нанокластерів з діелектриком за допомогою даної методики. Доведено, що явище поверхневої рекомбінації у напівпровіднику, відображуючи хімічні та адсорбційні процеси на границі поділу з досліджуваною речовиною, може слугувати ключовим етапом перетворення інформації про цю речовину в електричні сигнали. Запропоновано технологію отримання нанокомпозитних структур Si+SiO2 та Si+TiO2. Виявлено ефект вбудови азоту в процесі формування оксинітридних плівок при відпалі в N2O та запропоновано фізичну модель cтворення центрів захоплення заряду. Вивчено механізми провідності у гетероструктурах GaAs на Автори роботи Іванов Іван Іванович Ільченко Володимир Васильович Вербицький Володимир Григорович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігорович Марін Володимир Володимирович Опилат Віталій Яковлевич Скришевський Валерій Антонович Усенко Володимир Олексійович Циганова Ганна Іскаківна Шкавро Анатолій Григорович Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити