Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0215U003761, 0110U006709 , Науково-дослідна робота Назва роботи Діагностика і моделювання механізмів транспортування заряду в нанорозмірних кристалічних і аморфних шарах рідкоземельних оксидів і формування електронних станів на їх межах з напівпровідниками IV групи і А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 24-03-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Встановлено, що струм в структурах "Gd2O3 - Si" та "Nd2O3 - Si" визначається моттівським механізмом стрибкової провідності. Визначено концентрацію глибоких центрів в об'ємі діелектрика, пов'язаних з кисневими вакансіями, яки завжди присутні в іонних окислах металів. Для затворної структури "Pd - Al2O3", нанесеній на поверхню вузькозонного напівпровідника In0.53Ga0.47As, при товщині діелектрика більшої за 5 нм струм визначається тунельним механізмом Фаулера-Нордхейма, що свідчить про достатньо високу якість інтерфейсів. Опис продукції Методика діагностування процесів транспорту заряду в нанорозмірних шарах рідкоземельних оксидів та дослідження формування електронних станів на межах з напівпровідниками IV групи та сполук А3В5 Автори роботи Гоменюк Юрій Вікторович Гоменюк Юрій Юрійович Назаров Олексій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Діагностика і моделювання механізмів транспортування заряду в нанорозмірних кристалічних і аморфних шарах рідкоземельних оксидів і формування електронних станів на їх межах з напівпровідниками IV групи і А3В5
Керівник: Лисенко Володимир Сергійович. Діагностика і моделювання механізмів транспортування заряду в нанорозмірних кристалічних і аморфних шарах рідкоземельних оксидів і формування електронних станів на їх межах з напівпровідниками IV групи і А3В5. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U003761
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку