Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U003911, 0112U003268 , Науково-дослідна робота Назва роботи Закономірності комбінованої дії зовнішніх факторів на властивості приповерхневого шару p-Si та кремнієвих сенсорів температури Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 18-06-2015 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Теоретичні дослідження та експериментальні дані, отримані в ході виконання науково-дослідної роботи виявили, що: - експозиція діодних структур у постійному магнітному полі (В<1 Тл) стимулює перехід деякої частини структурних дефектів у метастабільний стан, який є чутливим до дії інших зовнішніх чинників;- опромінення транзисторних термосенсорів Х-променями призводить до протікання ряду конкуруючих процесів: впорядкування дефектної структури, активація наявних швидких поверхневих станів, генерація радіаційних дефектів в приповерхневому шарі та об'ємі напівпровідника; - наслідком перебудови дефектів є зміни вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик діодних структур, які за певних експозицій вказують на покращення структурної досконалості переходу. На підставі експериментальних досліджень запропоновано фізичну модель процесів взаємодії структурних і радіаційних дефектів у монокристалах р-Sі та структур на його основі. Вирішення проблеми зменшення концентрації електрично активних дефектів, або збільшення їх стабільності через перехід дефектів із метастабільного стану в стабільний, дозволить покращити експлуатаційні характеристики пристроїв твердотільної електроніки. Отримані в роботі наукові та практичні результати створюють основи для виготовлення конкурентоспроможних приладів на основі сенсорів з покращеними експлуатаційними та метрологічними характеристиками. Опис продукції При опроміненні чутливого елемента рентгенівськими квантами виникає е.р.с. За величиною е.р.с. оцінюють інтенсивність іонізуючого випромінювання. Е.р.с.для чутливого елемента CdI2 є не зовсім лінійною залежністю від потужності дози рентгенівського випромінювання. Вимірювана е.р.с., що виникає при взаємодії рентгенівського випромінювання з кристалом CdI2:AgI є сумарною величиною поперечної і повздовжньої е.р.с., характерних для матриці, та е.р.с. фотогальванічного ефекту, пов'язаного з електронними збудженнями домішки Ag. Генерована е.р.с. для чутливого елемента на основі CdI2:AgI, обємом 100мм3 лінійно залежить від потужності дози рентгенівського випромінювання і при 700 Р/хв. сягає 150 мВ. Автори роботи Лис Роман Мирославович Матвіїшин Ігор Михайлович Павлик Богдан Васильович Слободзян Дмитро Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити