Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U007197, 0110U006080 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 17-02-2015 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Показано, що при зниженні температури найбільш суттєвим виявилося зменшення фотопровідності в області фундаментального поглинання наноострівців. Це свідчить про високу ефективність центрів рекомбінації електрон-діркових пар в SiGe наноострівцях. Опис продукції наноострівці SiGe, вбудовані в багатошарові структури на основі кремнію, є центрами рекомбінації електрон-діркових пар, фотогенерованих в Si і, загалом, визначають темп поверхневої рекомбінації гетероструктур. Виявилось, що при селективному фотозбудженні наноострівців рекомбінація електрон-діркових пар SiGe визначається просторовим розділенням нерівноважних носіїв заряду, коли дірки захоплюються станами валентної зони SiGe, а електрони опиняються в їх кремнієвому оточенні. Автори роботи Варавка О.В. Козирев Юрій Миколайович Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити