Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U007216, 0110U006230 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження оптичних властивостей та тунельних процесів носіїв заряду (екситонів) в двофазних напівпровідникових наносистемах типу "ядро@оболонка" C1@C2 (С1 = SiO2, C2 = ZnO, CdS, ZnSe, ZnS та ін.), що є перспективними блоками для матеріалів нанофізики та електроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Бродин Михайло Семенович, Дата реєстрації 18-02-2015 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження - нанокомпозитні субмікро-сфери Y2O3-CdS та плівкові структури на основі сумішей чистих сфер діоксиду кремнію SiO2 та вкритих квантовими точками CdS різних радіусів. Мета роботи - Дослідження особливостей утворення фазового перколяційного переходу носіїв заряду (екситонів) і його прояву в оптичних спектрах отриманих зразків. Вперше теоретично обґрунтовано та експериментально підтверджено, що квантово-розмірний ефект носіїв заряду та екситонів в просторово-обмежених структурах на поверхні великих діелектричних сфер (SiO2) залежить від форми, яку приймає квантовий об'єкт під дією поверхневої енергії сфери і слабо від своїх розмірів (радіуса або діаметра). Це дає змогу перетворювати сферичні діелектричні об'єкти у проводящі або квантові структури великих розмірів, якими, на відміну від нанометрових квантових точок II - VI напівпровідників, легко маніпулювати, створюючи матеріальні середовища для приладів нанофізики. З точки зору фазових переходів, ці системи, представлені у вигляді плівок сумішей чистих діелектричних сфер та вкритих квантовими точками напівпровідників є одними із небагатьох мікроструктур для дослідження континуальної (безграткової) перколяції носіїв заряду та екситонів, в яких фазовий перехід можна розрахувати та порівняти з експериментальними даними. Однією із майбутніх задач - є удосконалення технології отримання плівок із діелектричних сфер з квантовими точками напівпровідників. Це дасть змогу вирощувати 3D - просторові структури з модульованою діелектричною сталою, які є основою для створення фотонних кристалів - об'єктів, що дають змогу керувати світловими потоками, оскільки мають зонну структуру з забороненою щілиною, як у кристалічних напівпровідниках. На сьогодні ми удосконалили технологічний процес отримання цих структур за рахунок підбору відповідних стабілізаторів (кислот). Це дало змогу суттєво зменшити дисперсію розмірів сфер SiO2 та кількість поверневих дефектів, що спотворюють кристалічну будову квантових точок, а також підвищити стійкість плівок до процесів поверхневого окислення. Опис продукції Зразки, отримані та досліджені під час другого етапу являли собою високоякісні плівки чистих гетерочастинок "ядроSiO2 - оболонка CdS" або суміші сфер діоксиду кремнію та гетеронаночастинок з квантовими точками CdS різної щільності та концентрації суміші. Дослідження таких структур проводилось з метою виявлення умов утворення фазових перколяційних переходів екситонів при різних концентраціях активної компоненти. Автори роботи Бондар Микола Володимирович Бродин Михайло Семенович Матвєєвська Неоніла Анатолієвна Толмачов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити