Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U007244, 0110U006079 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні дослідження структурних, електрофізичних та оптичних властивостей окремих та ансамблів квантових точок в багатошарових нанорозмірних системах на основі МПЕ сполук AIVBIV, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-02-2015 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу В гетероструктурах Ge/SiO2/p-Si з нанокластерами Ge, вирощеними на окисленій поверхні кремнію, виявлено ефект залишкової провідності, який полягає у тривалому (більш ніж 103 сек) зберіганні стану підвищенної провідності після припинення фотозбудження світлом при зонно-зонній фотогенерації електронно-діркових пар в c-Si при температурах, нижчих за 150 К. Показано, що переведення системи в такий стан спричинене зменшенням величини заряду, захопленого пастками інтерфейсу SiO2/Si та станами наноострівців Ge та, відповідно, тривалим збільшенням величини поверхневої провідності в шарі збіднення підкладки p-Si. Опис продукції Досліджено морфологію особливостей, процесів фотогенерації, рекомбінації та механізм електропровідності в бар'єрних гетероструктурах Ge/Si з квантовими точками Ge. Автори роботи Варавка О.В. Козирев Ю.М. Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити