Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0215U007244, 0110U006079 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Фундаментальні дослідження структурних, електрофізичних та оптичних властивостей окремих та ансамблів квантових точок в багатошарових нанорозмірних системах на основі МПЕ сполук AIVBIV, їх оксидів та рідкоземельних елементів

Керівник роботи

Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук

Дата реєстрації

19-02-2015

Організація виконавець

Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України

Опис

В гетероструктурах Ge/SiO2/p-Si з нанокластерами Ge, вирощеними на окисленій поверхні кремнію, виявлено ефект залишкової провідності, який полягає у тривалому (більш ніж 103 сек) зберіганні стану підвищенної провідності після припинення фотозбудження світлом при зонно-зонній фотогенерації електронно-діркових пар в c-Si при температурах, нижчих за 150 К. Показано, що переведення системи в такий стан спричинене зменшенням величини заряду, захопленого пастками інтерфейсу SiO2/Si та станами наноострівців Ge та, відповідно, тривалим збільшенням величини поверхневої провідності в шарі збіднення підкладки p-Si.

Опис продукції

Досліджено морфологію особливостей, процесів фотогенерації, рекомбінації та механізм електропровідності в бар'єрних гетероструктурах Ge/Si з квантовими точками Ge.

Автори роботи

Варавка О.В.
Козирев Ю.М.
Мельничук Є.Є.
Сидоренко І.Г.
Скляр В.К.