Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U007674, 0113U001971 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нової прискореної технології виготовлення напівпровідникових детекторів ядерних випромінювань та їх випуск для ядерних експериментів Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 18-12-2015 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Досліджено електрофізичні і структурні властивості високоомного детекторного кремнію, виявлено вплив поверхневих електронних процесів на формування поверхнево-бар'єрних структур. Визначено основні вимоги до властивостей високоомного кремнію, придатного для розробки детекторів з різною товщиною чутливої області (від десятків мікрон до декількох міліметрів) і різною робочою площею вхідних "вікон". Розроблено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів із використанням різних складів травників для прискореного створення якісних поверхнево-бар'єрних детекторних структур зі стабільними характеристиками. Розроблено повільні режими травлення для dE/dx-детекторів плоско-паралельної геометрії. Опис продукції Визначено основні вимоги до властивостей високоомного кремнію, придатного для розробки детекторів з різною товщиною чутливої області (від десятків мікрон до декількох міліметрів) і різною робочою площею вхідних "вікон". Автори роботи Барабаш Л. І. Бердниченко С. В. Варніна В. І. Воробйов В. Г. Кібкало Т. І. Кочкін В. І. Ластовецький В. Ф. Макуха О. М. Полівцев Л. А. Старчик М. І. Тартачник В. П. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити