Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U007676, 0113U001971 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нової прискореної технології виготовлення напівпровідникових детекторів ядерних випромінювань та їх випуск для ядерних експериментів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 18-12-2015 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Досліджено електрофізичні і структурні властивості високоомного детекторного кремнію; виявлено вплив поверхневих електронних процесів на формування поверхнево-бар'єрних структур; визначено основні вимоги до властивостей високоомного кремнію, придатного для розробки детекторів з різною товщиною чутливої області (від десятків мікрон до декількох міліметрів) і різною робочою площею вхідних "вікон"; відпрацьовано режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів із використанням різних складів травників для прискореного створення якісних поверхнево-бар'єрних детекторних структур; розроблено повільні режими травлення для dE/dx-детекторів плоско-паралельної геометрії. Розроблено технологію прискореного дрейфу іонів літію та ефективні режими вирівнюючого дрейфу з метою отримання сильно компенсованого і матеріалу в p i n-структурах. Оптимізовано дрейф іонів літію на значні глибини в кремнії. Досліджено вплив мікродефектів та розподілу кисню в кремнії на рухливість іонів літію в процесі їх дрейфу. Розроблено разовий технологічний регламент виготовлення Si(Li)-детекторів планарного типу з товщиною чутливої області більше 3 мм. На основі високоомного нейтронно-легованого кремнію виготовлено детектори з підвищеною стабільністю параметрів для спектрометрії ядерних випромінювань. Розроблено та виготовлено детектори для використання в ядерно-фізичних експериментах таких типів: Е-детектори повного поглинання енергії заряджених частинок з широким інтервалом товщин чутливої області; dЕ/dx-детектори питомих втрат енергії заряджених частинок з товщиною чутливої області десятки мікрон; дрейфові Si(Li)-детектори на основі кремнію, компенсованого літієм. Опис продукції Відпрацьовано нову технологію прискореного отримання поверхнево-бар'єрних і p-i-n структур для виготовлення детекторів ядерних випромінювань. Виготовлено дослідні зразки детекторів для ядерних експериментів та визначено їх характеристики. Автори роботи Барабаш Л. І. Бердниченко С. В. Варніна В. І. Воробйов В. Г. Кібкало Т. І. Кочкін В. І. Ластовецький В. Ф. Литовченко П. Г. Макуха О. М. Полівцев Л. А. Старчик М. І. Тартачник В. П. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити