Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U008297, 0113U003172 , Науково-дослідна робота Назва роботи Структурні та фазові перетворення в гетеро-, нано- та мікродисперсних системах Назва етапу роботи Керівник роботи Крамар Валерій Максимович, Дата реєстрації 25-12-2015 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу У результаті проведених досліджень побудовано теорію оствальдівського дозрівання наночастинок, зміцнюючої фази в металевих сплавах, в умовах одночасної дії двох механізмів росту, що контролюються дислокаційною дифузією та швидкістю утворення хімічних зв'язків і встановлено відповідність існуючих теорій оствальдівського дозрівання новим експериментальним фактам, які накопичені на даний час у зв'язку з розвитком нанотехнологій. Під час досліджень робиться спроба поширення модифікованої теорії Ліфшица-Сльозова-Вагнера, першопочатково розробленої для 3D- твердотільних систем, на рідкі середовища. Основна увага зосереджена на проблемі стійкості дисперсної фази в процесі оствальдівського дозрівання, яка визначає стабільність структури в цілому. Встановлені закономірності росту частинок в нанодисперсних фазах під час оствальдівського дозрівання у об'ємних 3D-системах (сплави, нанокомпозити, рідкі розчини) та поверхневих 2D-системах (напівпровідникові гетероструктури, острівцеві плівки, двомірні матриці-дірки з досконалою періодичністю) в умовах запропонованого механізму росту. Досліджено взаємодію електронів, дірок та екситонів з оптичними фононами у плоских напівпровідникових наноплівках з різною силою електрон-фононного зв'язку. Конкретні розрахунки здійснені на прикладі наноплівок шаруватого напівпровідника 2H-PbI2, вміщеного в діелектричне середовище - скло або полімер E-MAA, GaAs у матриці змінного складу AlxGa1-xAs та ?-HgS у матриці ?-CdS з урахуванням ефектів просторового обмеження, самополяризації та взаємодії з оптичними фононами. Це дало змогу здійснити розрахунок спектральних залежностей коефіцієнта екситонного поглинання в указаних наноплівках та дослідити трансформацію смуги поглинання при зміні їх товщини, температури та, у випадку AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs, - складу бар'єрного середовища. Отримані результати лягли в основу дослідження можливості реалізації в указаних структурах явища внутрішньої оптичної бістабільності та впливу зовнішніх чинників (поляризації та кута падіння збуджуючої хвилі, температури, сили магнітного поля, товщини плівки) на положення та розміри петлі гістерезису в залежності поглинальної здатності від інтенсивності освітлення. Опис продукції Встановлено закономірності оствальдівського дозрівання наночастинок в металевих сплавах, за умови одночасного перебігу двох механізмів їх зростання, що контролюються дислокаційною дифузією та швидкістю утворення хімічних зв'язків, а також запропоновано метод визначення механізмів росту нанокристалів, отриманих методами колоїдної хімії у рідких середовищах. Крім того, знайдено аналітичний вигляд для розрахунку швидкості росту та функції розподілу квантових точок, отриманих методом молекулярно-променевої епітаксії на поверхні штучно вирощених квантово-точкових кристалів (Si)Ge/Si та In(Ga)As/GaAs. Теорію взаємодії електронів, дірок та екситонів з оптичними фононами адаптовано на випадок квазідвовимірних наногетероструктур - напівпровідникових наноплівок. На її основі досліджено закономірності впливу просторових обмежень, складу бар'єрного матеріалу та температури на енергетичний спектр та смуги фундаментального й екситонного поглинання наноплівок типу 2H-PbI2, вміщеної у діелектричне середовище - скло або Автори роботи Іванський Богдан Васильович Венгренович Роман Дмитрович Деревянчук Олександр Володимирович Кондрюк Денис Васильович Крамар Валерій Максимович Кройтор Ольга Петрівна Москалюк Анатолій Валерійович Панько Ігор Ігорович Пуганцева Олена Валеріївна Стасик Мирослав Остапович Ткач Оксана Олександрівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити