Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U008373, 0115U001950 , Науково-дослідна робота Назва роботи Одержання та властивості нових халькогенідних і галогенідних матеріалів для мікро- нано- та оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Божко Володимир Васильович, Дата реєстрації 25-12-2015 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Вирощені шаруваті сполуки Tl1-xIn1-xSi(Ge)xSe2 (х=0.1; 0.2). Оцінена ширина забороненої зони.Встановлено, що досліджувані сполуки мають p – тип провідності. Встановлена природа провідності в різних діапазонах температур. Визначена глибина залягання акцепторного рівня. Опис продукції Побудовано діаграми стану систем TlInSe2 - Si(Ge)Se2, виявлено існування твердих розчинів на основі тернарних фаз та встановлено механізм їх утворення.Досліджено вплив структурних дефектів на електричні, оптичні та фотоелектричні властивостіодержаних зразків Автори роботи Данильчук Сергій Павлович Замуруєва Оксана Валеріївна Мрончук Галина Леонідівна Парасюк Олег Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити