Реєстраційний номер
0215U008500,
0114U003702
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка методів прецезійної Х- променевої дифрактометрії деформаційних станів епітаксіальних наноструктур з гетеровалентними переходами А3В5/А2В6
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Фодчук Ігор Михайлович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
25-12-2015
Організація виконавець
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис етапу
Вдосконалено і суттєво доповнено існуючі експериментальні та теоретичні методи багатохвильової дифрактометрії Х-променів та електронів для високоточної діагностики полів деформацій в епітаксійних гетероструктурах і структур з гетеропереходами на основі А3В5 і А2В6. Проаналізовано і використано різноманітні ефекти багатохвильової дифракції Х-променів і синхротронного випромінювання для одночасного визначення змін міжплощинних відстаней у різних кристалографічних напрямках з мінімальними похибками. Досліджено структурні порушення в епітаксійних наногетероструктурах на границях розділу гетеровалентних переходів, оцінено глибину перемішування гетероінтерфейсів GaAs/ZnSe, визначено кількісні параметри точкових і об'ємних дефектів в гетероструктурах (In, Al)GaAs, InAs і GaP з епітаксійними шарами та встановлено взаємозв'язок між їх структурними та електрофізичними властивостями. Проведено атермічні впливи для контролю зміни деформацій епітаксійних наногетероструктур, що дозволило частково змінювати співвідношення точкових і об'ємних дефектів та покращувати структурну досконалість матеріалів. Отримані дані використано для перевірки правильності розробленого сценарію реалізації багатохвильової Х-променевої дифрактометрії та обгрунтованності теоретичних та експериментальних припущень, що лежать в його основі.
Опис продукції
Розроблено методики кількісної діагностики структурних перетворень дефектної системи, особливостей формування кривих дифракційного відбивання та ізодифузних мап інтенсивності, отриманих за допомогою багатоосьової багатокристальної дифрактометрії після високодозової імплантації та термічної обробки поверхневих шарів плівок з іонів азоту та високоенергетичного опромінення в плівки залізо-ітрієвих та галій гадолінієвих гранатів. Створено алгоритми та програмне забезпечення для обробки даних експериментів з структурної діагностики надтонких шарів монокристалів до і після іонів імплантації, також границь розділу гетерофазних наносистем. Встановлено хід структурних перетворень в кристалах Y2,95La0,05Fe5O12 після опромінення іонами азоту та імплантації іонами Не+, що дало змогу встановити механізми суттєвого покращення магнітних властивостей даних зразків. Для вивчення розподілу інтенсивності слабоконтрасних ліній Кікучі створено апаратно-програмний підхід для запису профілів ліній Кікучі у цифровому форматі
Автори роботи
Борча Мар'яна Драгошівна
Гуцуляк Іван Іванович
Довганюк Володимир Васильович
Каземірський Тарас Анатолійович
Кладько Василь Петрович
Литвинчук Іван Васильович
Новіков Сергій Миколайович
Федорцов Дмитро Георгійович
Фодчук Ігор Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
