Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U009580, 0111U004594 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кристали та тонкі плівки звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів: технологія одержання, фізичні властивості, створення на їх основі приладів електроніки, спінтроніки, сонячної енергетики і світловипромінюючих структур Назва етапу роботи Керівник роботи Мар'янчук Павло Дмитрович, Дата реєстрації 16-01-2016 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу В роботі були одержані і досліджені нові кристали та тонкі плівки звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів, а на основі проведених комплексних магнітних, електричних, оптичних і фотоелектричних досліджень встановлено основні закономірності впливу технологічних умов одержання кристалів та тонких плівок звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів на їх фізичні властивості, стехіометричність і структурну досконалість, створено на основі цих матеріалів прилади електроніки, спінтроніки, сонячної енергетики і світловипромінюючі структури, досліджено залежність їх параметрів від типу матеріалу, конструкційних і технологічних умов створення структур. Опис продукції Суть запропонованого рішення полягає у тому, що у способі отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, згідно запропонованого рішення, до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgS)1-x(In2S3)x:Mn. Як показали дослідження, використання запропонованого способу забезпечує отримання кристалів (3HgS)1-x(In2S3)x:Mn з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності в інтервалі температур Т=77-300К. Це пояснюється тим, що рухливість носіїв заряду майже лінійно зменшується із ростом температури, що не є характерними для більшості відомих напівпровідникових твердих розчинів. Автори роботи Ілащук Марія Іванівна Андрущак Галина Олегівна Білічук Сергій Васильович Брус Віктор Васильович Гавалешко Наталя Миколаївна Ковалюк Тарас Тарасович Козярський Дмитро Петрович Майструк Едуард Васильович Маслянчук Олена Леонідівна Микитюк Василь Іванович Мостовий Андрій Ігорович Орлецький Іван Григорович Парфенюк Орест Архипович Радевич Ярема Іванович Сльотов Олексій Михайлович Солован Михайло Миколайович Ульяницький Костянтин Сергійович Фрасуняк Василь Михайлович Хомяк Володимир Васильович Чупира Сергій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити