Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U001195, 0115U005017 , Науково-дослідна робота Назва роботи Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-01-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу У роботі розглядаються питання, пов'язані з розвитком інфрачервоних (ІЧ) і терагерцових (ТГц) радіаційних детекторів на основі кадмій - ртуть - телуру (КРТ). Продемонстрована можливість створення двоколірного детектора на основі напівпровідникових тонких шарів вузькощілинного КРТ , що працює як суб-ТГц (140мкм) прямий болометричний детектор так і ІЧ (3 - 10 мкм) фотопровідник, при кімнатній температурі і при помірному охолодженні. Одержані параметри детекторів підходять для багатьох застосувань, а сам детектор може бути виконаний у вигляді масивів. Характеристики цих двоколірних детекторів можна контролювати і оптимізувати шляхом вибору параметрів шарів КРТ і конфігурації антен. З метою розробки нових ефективних широкосмугових детекторів ТГц- і суб-ТГц діапазонів були вивчені механізми струмопереносу заряду і механізми їх релаксації в квантових ямах CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe з інвертованою зонною структурою. В результаті прямого рішення транспортного рівняння Больцмана ітеративним методом промодельовано процеси пружньої і непружної релаксації електронів за різними механізмами і рухливість носіїв у квантовій ямі з інвертованою зонною структурою при азотної температурі. Опис продукції Змодельовані транспортні властивості 2D шарів CdхHg1-хТe (КРТ) напівметалічної та напівпровідникової фази з урахуванням пружніх та непружніх механізмів розсіювання носіїв заряду. Проведено дослідження фотовідгуку двокольорових болометричних приймачів на основі шарів КРТ, оцінено шуми в приймачах ТГц випромінювання на основі квантових ям CdхHg1-хТe, та порівняння із шумами у ТГц болометрах та польових транзисторах на основі графену. Автори роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна Забудський Вячеслав Володимирович Кухтарук Наталія Іванівна Мележик Євген Олександрович Сахно Микола Вадимович Сизов Федір Федорович Цибрій Зеновія Федорівна Шевчик-Шекера Анна Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити