Звіт по науково-дослідній роботі. Порошин Володимир Миколайович. Явища переносу в гетероструктурах з квантовими ямами на основі напівпровідників А3В5.

Реєстраційний номер

0216U001618, 0111U000760 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Явища переносу в гетероструктурах з квантовими ямами на основі напівпровідників А3В5.

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Порошин Володимир Миколайович,

Дата реєстрації

10-03-2016

Організація виконавець

Інститут фізики НАН України

Опис етапу

Наведені результати експериментального дослідження і аналізу механізмів електропровідності, гальваномагнітних та фотоелектричних явищ в селективно легованих гетероструктурах на основі Ge-Si і напівпровідникових сполук А3В5 з різними типами квантових ям і -шарами домішки в ямах або прилеглих шарах бар'єру. Зроблені чисельні розрахунки енергетичного спектра та рухливості електронів, просторового розподілу зарядів, величини магнітоопору. На їх основі побудовані моделі, що пояснюють поведінку електронного газу в рівноважних умовах та в умовах розігріву сильним латеральним електричним полем, в сильних магнітних полях. Проаналізована роль домішкової зони у формуванні енергетичного спектра електронів, її вплив на явища переносу в структурах з -шарами домішки в області КЯ. Досліджена залежність параметрів мілкої домішки від її положення в КЯ. Дані рекомендації щодо можливого використання результатів роботи при створенні різних приладів електроніки та оптоелектроніки.

Опис продукції

Встановлено,що при розміщенні легуючої домішки у квантовій ямі, починаючи з концентрацій, більших 2?1011 см-2, провідність в латеральному електричному полі зумовлена парціальними внесками провідностей носіїв заряду в підзонах квантових ям та в домішковій зоні. Наслідком є мала ефективна рухливість носіїв заряду в таких структурах при низьких температурах, аномальний характер концентраційної залежності, аномальна температурна залежність холлівської рухливості носіїв заряду у структурі з тунельно-зв'язаними квантовими ямами, одна з яких є дельта-легованою. Показано, що у структурах, дельта - легованих у бар'єри, латеральна електропровідність відбувається по структурним квантовим ямам та домішковим ямам, які обумовлені кулонівською взаємодією вільних електронів та іонізованих домішок. Рухливість електронів у домішковій ямі більш, ніж на порядок, менша рухливості електронів у структурній квантовій ямі. Провідність по домішковій квантовій ямі зумовлює додатний магнітоопір. Розігрів носіїв латеральним електри

Автори роботи

Більовський Павло Антонович
Бондар Віталій Михайлович
Вайнберг Віктор Володимирович
Васецький Віктор Михайлович
Винославський Михайло Миколайович
Гуденко Юлія Миколаївна
Пилипчук Олександр Сергійович
Порошин Володимир Миколайович
Сарбей Олег Георгійович
Фролова Олена Костянтинівна.

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-02