Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U002691, 0111U007778 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження самоорганізації кластерних та фрактальних агрегатів, металоксидних, металдіелектричних та графенових систем, тонких плівок та поверхневих шарів, що володіють унікальними фізико-хімічними властивостями Назва етапу роботи Керівник роботи Сперкач Світлана Олексіївна, Дата реєстрації 23-06-2016 Організація виконавець Технічний центр Національної академії наук України Опис етапу Досліджено механізми іонного розпилення поверхневих металевих кластерів. У якості методу дослідження застосовано метод молекулярної динаміки. Виконано молекулярно-динамічне моделювання розпилення іонами аргону низьких енергій (200 еВ) металевих кластерів (Cu, Au) з поверхонь металевих монокристалічних підкладинок (Cu, Au).Встановлено, що підкладинка при цьому має визначний вплив на формування цих напрямків, оскільки саме взаємодія з підкладинкою визначає структуру поверхневого кластера. Досліджено, що підкладинка відіграє роль енергетичного стоку для каскадних атомів кластера. Визначено залежність процесу розпилення кластера від його геометрії. Досліджено вплив температури на розпилення поверхневих нанокластерів і показано, що теплові коливання атомів призводять до дефокусування атомів, розпилених із поверхневих кластерів. Показано, що невідповідність значень сталих кристалічної ґратки матеріалу кластера і підкладинки в двокомпонентних системах кластер-підкладинка призводить до зменшення інтенсивності розвитку каскаду атомних зіткнень, порівняно з однокомпонентною системою. Розглянуто основні проблеми виготовлення та дослідження металдіелектричних та метал-напівпровідникових систем з особливими властивостями. Досліджено плівки на основі Poly(N-vinylcarbazole) (PVСа), виготовлені осадженням з газової фази, доповані акцепторними органічними та неорганічними напівпровідниковими сполуками та золотом. Газофазна технологія допування PVCa акцепторними сполуками, зокрема С60, TNF, CdSe, призводить до формування ефективних фотопровідників. Запропоновано моделі статистичної термодинаміки та кінетики атомного порядку розчину втілення у двовимірній гратки графенового типу (C X). Теоретично описано впорядковані розподіли втілених атомів (X) по міжвузловинах щільникової гратки за різних складів і температур. Встановлено ділянки значень параметрів міжатомних взаємодій, яким відповідає "схильність" підсистеми втілених атомів до формування порядку в їх розташуванні, що відноситься до певного надструктурного типу (С2Х, С4Х, С6Х або С8Х). Опис продукції Вивчено та досліджено механізми іонного розпилення поверхневих металевих кластерів. У якості методу дослідження застосовано метод молекулярної динаміки. Отримано, що при іонному розпиленні поверхневих металевих кластерів мають місце напрямки переважного виходу розпилення атомів із кластерів. Встановлено, що підкладинка при цьому має визначний вплив на формування цих напрямків, оскільки саме взаємодія з підкладинкою визначає структуру поверхневого кластера. Досліджено, що підкладинка відіграє роль енергетичного стоку для каскадних атомів кластера. Визначено залежність процесу розпилення кластера від його геометрії. Досліджено вплив температури на розпилення поверхневих нанокластерів і показано, що теплові коливання атомів призводять до дефокусування атомів, розпилених із поверхневих кластерів. Показано, що невідповідність значень сталих кристалічної ґратки матеріалу кластера і підкладинки в двокомпонентних системах кластер-підкладинка призводить до зменшення інтенсивності розвитку каскаду атомних зіткнень Автори роботи Барабаш М.Ю. Гринько Д.О. Леонов Д.С. Шевченко А.Б. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити