Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U003878, 0111U000047 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фотоелектричні, оптичні та флуктуаційні явища у світловипромінюючих широкозонних напівпровідникових сполуках, у напівпровідникових структурах мікро- і наноелектроники та розробка технологічних методів їх одержання. Назва етапу роботи Керівник роботи Корсунська Надія Овсіївна, Дата реєстрації 22-02-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - шари та монокристали ZnO, порошки ZnS, леговані Cu або Mn, колоїдні квантові точки CdSe в полімерних матрицях, шари Si-SiO2, Si-Al2O3, нанопорошки ZrO2, епітаксійні гетероструктури InAlGaAs/GaAs з InAs квантовими точками, розріджені феромагнітні напівпровідники на основі GaAs, монокристали Ge, Si - finFET KHI МОН транзистори. Мета роботи - з'ясування механізмів ряду нерівноважних та флуктуаційних процесів в кристалах і низьковимірних структурах на основі сполук А2В6, А3В5 та кремнію, finFET КНІ МОН транзисторах з різними затворними діелектриками, механізмів феромагнетизму в розріджених феромагнітних напівпровідниках на основі GaAs, а також розробка технології виготовлення кераміки та шарів на основі оксиду цинку і монокристалів ZnO і методів діагностики монокристалів оптичного германію. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні, рентгенівська дифракція, електронний парамагнітний резонанс, комбінаційне розсіювання світла, спектроскопія шуму, вторинна іонна мас-спектрометрія. В результаті виконання роботи встановлено механізми формування нанокристалів кремнію в шарах Si-SiO2 і Al2O3. Показано, що основним каналом випромінювання в шарах Si-SiO2 є рекомбінація екситонів в Si-nсs в той час, як в шарах Si-Al2O3 домінує випромінювання, пов'язане з центрами в оксиді або на інтерфейсі Si-ncs/матриця. Показано, що в кераміці та шарах ZnO є два типи центрів випромінювання, які мають різний механізм взаємодії з граткою матриці. Показана можливість використання кераміки MgZnO:TiO2 в якості джерела білого випромінювання. Запропонована оригінальна методика вирощування об'ємних кристалів ZnO. Проведені експерименти по сублімації ZnO з порошкоподібного вихідного матеріалу на підкладинки з сапфіру в атмосфері гелію і одержані полікристалічні пластини ZnO товщиною до 1 см. Запропоновані методи підсилення інтенсивності випромінювання квантових точок CdSe в полімері. Показано, що інтенсивність, ширина смуги і спектральне положення люмінесценції InAs квантових точок в квантових ямах з релаксованими InAlGaAs шарами залежить складу покривного шару. Опрацьовано технологію виготовлення плівок GaMnAs, GaBiMnAs та GaFeAs. Встановлено, що плівки GaMnAs і GaBiMnAs з концентрацією Mn понад 1ат.% є феромагітними напівпровідниками-напівметалами з акцепторною провідністю, тоді як плівки GaFeAs є напівізоляторами та парамагнетиками. Запропоновані способи покращення магнітних властивостей досліджених плівок. Встановлені механізми, що визначають форму шумового спектру в n-канальних КНІ finFET'ів з затворним стеком HfSiON/SiO2 і HfO2/SiO2. Розроблено нові шумові методи дослідження фізичних процесів у планарних та finFEТ-транзисторах. Виведені аналітичні вирази для віріальних співвідношень для електронних систем з кулонівськими взаємодіями для довільного електрон-фононного зв'язку. Розроблені програми для чисельної перевірки виконання цих співвідношень. Створений експресний метод контролю густини дислокацій у пластинах оптичного германію великої площі. Опис продукції Оригінальні технологічні методи одержання світловипромінюючих широкозонних напівпровідникових сполук наоснові оксиду цинку та його твердих розчинів. Запропоновано методику визначення густини дислокації в монокристалах германію великої площі. Автори роботи Бондаренко В.О. Борковська Л.В. Веровський І.М. Гарбар М.П. Каширіна Н.І. Корсунська Н.О. Кудіна В.І. Кушніренко В.І. Маркевич І.В. Осіпьонок М.М. Папуша В.П. Пекар Г.С. Сингаївський О.Ф. Стара Т.Р. Хоменкова Л.Ю. Шульга К.П. Щербина Л.В. Яструбчак О.Б. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити