Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0216U005808, 0113U005879 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та пристрою для нанесення металевих контактів на поверхні напівпровідникових монокристалічних зразків СdZnTe і полікристалічних CVD алмазних плівок із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми Назва етапу роботи Керівник роботи Таран Валерій Семенович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-02-2016 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Для вимірювання іонізуючого випромінювання був розроблений прилад ВІ-01 ("Вимірювач іонізації - 01"). Датчиком для реєстрації випромінювання служить напівпровідниковий детектор на основі сплаву CdZnTi. Металізація контактів була здійснена із застосуванням комбінованих високочастотних та дугових джерел плазми. Виготовлений вимірювач являє собою пристрій, до складу якого входять блок попередньої обробки сигналу (БПОС), що забезпечує перетворення коротких імпульсів заряду з детектора в напругу, подальше посилення та інтегрування отриманих сигналів для кожного циклу перетворення контролером, який розроблений на базі PIC18F25K80 виробництва компанії Microchip Technology Inc. з модулями перетворення, органами управління та індикації, допоміжними вузлами та блоками живлення. Створено та реалізовано програмне забезпечення для вимірювального приладу в середовищі розробки MPLAB IDE на мові високого рівня MPLAB C18. Для забезпечення аналізу виникнення окремих заряджених іонізованих частинок усередині інтервалу інтегрування передбачений лічильний режим відповідних імпульсів. Для нормалізації таких імпульсів необхідно використовувати спеціальний підсилювач-формувач. Підрахунок сформованих імпульсів забезпечується високошвидкісним багато розрядним інтегральним лічильником з подальшою трансляцією в контролер. Вимірювач іонізації був випробуваний на експериментальній термоядерної установці. Реєстрація за допомогою вимірювача ВІ-01 високоенергетичного випромінювання на установках дозволяє попередити і показати небезпеку перебування персоналу в експериментальному залі під час роботи установок. Опис продукції Проведено технологічні дослідження та виготовлено сучасний прилад ( вимірювач іонізації ВІ-01) на основіі напівпровідикових детекторів іонізуючих віпромінювань з металевими контактами, отриманих з застосуванням комбінованих високочастотних та дугових джерел плазми і адаптованих до реальних умов, що мають місце під час проведення наукових досліджень на експериментальних термоядерних установках. Відпрацьована методика для вимірювання при малих та великих рівнях іонізуючого випромінювання та провендена реєстрація високоенергетичного випромінювання на експериментальних установках в ІФП ННЦ ХФТІ. Автори роботи Вєрьовкін А.А. Губарєв С.П. Золототрубова М.І. Клосовський А.В. Красний В.В. Кутній В.Є. Лозіна А.С. Місірук І.О. Мітрошина О.З. Наконечний Д.В. Опалєва Г.П. Рибка О.В. Сергієц М.А. Соколов С.О. Таран В.С. Тимошенко О.І. Холомеев Г.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Таран Валерій Семенович. Розробка технології та пристрою для нанесення металевих контактів на поверхні напівпровідникових монокристалічних зразків СdZnTe і полікристалічних CVD алмазних плівок із застосуванням комбінованих високочастотних і дугових джерел плазми. (Етап: ). Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України. № 0216U005808
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14