Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U005815, 0112U007835 , Науково-дослідна робота Назва роботи SPS структури в термоелектриці Назва етапу роботи Керівник роботи Анатичук Лук'ян Іванович, Дата реєстрації 12-02-2016 Організація виконавець Інститут термоелектрики Національної академії наук та Міністерства освіти і науки України Опис етапу РЕФЕРАТ Заключний звіт, 138 стор., 5 розділів, 74 рис., 5 таб., 82 посилань. Об'єктом дослідження даної роботи є порошковий термоелектричний матеріал систем Bi-Sb-Te, Bi-Se-Te отриманий методом іскрового плазмового спікання. Метою роботи є підвищення ефективності об'ємних термоелектричних матеріалів, шляхом створення кристалічних та аморфних структур з низькими значеннями теплопровідності та керованою мікроструктурою для високоефективних термоелектричних перетворювачів енергії, що забезпечить зростання конкурентної спроможності вітчизняної термоелектричної продукції на міжнародному ринку. Мета також включає в себе розробку методів оптимізації порошкових наноструктур для досягнення максимальних значень добротності методом іскрового плазмового спікання. Для досягнення мети використано методи комп'ютерного моделювання процесу іскрового плазмового спікання (SPS) стосовно порошків термоелектричного матеріалу на основі телуриду вісмута. В рамках різних модельних підходів визначено шляхи зменшення теплопровідності для порошкових структур термоелектричного матеріалу. Визначено оптимальні розміри порошків для SPS методів отримання термоелектричних матеріалів з високою добротністю. Розроблено обладнання для отримання SPS методом високоефективних термоелектричних матеріалів. Проведено експериментальні дослідження впливу структури порошків , технологічних режимів, параметрів початкового матеріалу на добротність SPS термоелектричних матеріалів. Розроблено методи прецизійних вимірювань зразків SPS матеріалів. Експериментально доведено, що SPS метод дозволяє підвищити термоефективність матеріалу в 1,5 рази в порівнянні з найкращими монокристалічними матеріалами. ТЕРМОЕЛЕТРИЧНІ МАТЕРІАЛИ, ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНА ДОБРОТНІСТЬ, ІСКРОВЕ ПЛАЗМОВЕ СПІКАННЯ. Умови одержання звіту: за договором, 252171, Київ-171, вул. Горького, 180, УкрІНТЕІ. Опис продукції Розроблено 3-вимірний кінцевоелементний пакет для моделювання SPS з врахуванням зв'язаних явищ механічної, теплової та електричної природи. В рамках 4-х різних модельних підходів виконано розрахунок граткової теплопровідності для фізичної моделі формоутворюючого елементу структури термоелектричного матеріалу Ві-Те у вигляді двох напівсфер, які дотикаються по круговому контакту. При цьому було враховано розсіювання фононів на границі контакту. В ізотропному наближенні виконано розрахунок електропровідності для фізичної моделі у вигляді дотичних по круговому контакту двох на півсфер з урахуванням розсіювання фононів на границях контакту стосовно Ві-Те. Показано, що ефективна електропровідність цього матеріалу в області температур 300К й вище може бути збережена в разі, якщо радіус контакту перевищує 10,4 довжини вільного пробігу носія струму. Показано, що з врахуванням залежності часу релаксації фононів від частоти і при розмірі часток нанопорошку 30-40нм, добротність термоелектричного матеріалу на основі Автори роботи Гаврилюк Микола Васильович Горський Петро Володимирович Запаров Сергій Федорович Лисько Валентин Валерійович Мельничук Вячеслав Єпіфанович Ніцович Ольга Володимирівна Разіньков Валерій Васильович Тащук Дмитро Діонізійович Шустаков Володимир Юрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити