Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U007024, 0114U001700 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових наноструктурованих антифрикційних покриттів на основі AlMgB: експериментальні і теоретичні дослідження - оптимізація технологічних параметрів Назва етапу роботи Керівник роботи Іващенко Володимир Іванович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-03-2016 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Опис етапу Проведено першопринципих досліджень кристалічних та аморфних бору та M1xM2yCzB14-z (M1, M2 = Al, Mg, Li) (ВАМ) фаз. Стабільність фаз аналізували в термінах енергії утворення. Було виявлено, що фаза c-Mg4C8B48 є найбільш стабільною зокрема, у зв'язку з утворенням стабільних С-B4 кластерів. Атомні конфігурації, щільності електронних і фононних станів ВАМ матеріалів вивчено шляхом порівняння. Подібність структурних функцій для аморфного бору та ВАМ матеріалів вказує на те, що бор утворює дуже схожі мережі в різних аморфних структурах. Аморфна мережа ВАМ структур являє фрагменти ікосаедру, пов'язаних невпорядкованою В-В мережею. Структура аморфного бору складається із ікосаедрів, їх фрагментів і біоктаедрів, з'єднаних аморфною матрицею. Розраховані фононі спектри кристалічних Al4Mg4B56 Al3Mg3B56 та Al4Li4B56 достатньо добре узгоджуються з наявними спектрами комбінаційного розсіювання. Для бору та ВАМ структур, зміцнення між-ікосаедричних зв'язків після аморфізації призводить до посилення коливань в діапазоні 1100-1250 см-1. Було пояснено анізотропію ідеальної міцності на розтяг і зсув з точки зору шаруватої рамкової структури кластерів B12 в аморфних иору та ВАМ матеріалах. Підвищення міцності для аморфних плівок, пов'язано з напруженніми стиснення та наявністю кисню. Ці фактори сприяють утворенню ікосаедричних кластерів. Опис продукції Було запропоновано ряд рекомендацій і механізмів, котрі можуть бути використані технологами, котрі працюють над створенням нових перспективних наношарових покриттів і пристроїв спінтроніки, чутливих до зовнішнього магнітного поля. Автори роботи Бутенко Ф.Г. Гранько В.М. Скринський П.Л. Тімофєєва І.І. Шевченко В.І Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити