Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U007511, 0116U004322 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нової технології формування сонячних перетворювачів з використанням тонкоплівкових структур з варизонним шаром, впровадженими металевими плазмонними частинками та з електростатично зарядженим фероелектричним шаром Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Володимир Григорович, Дата реєстрації 20-12-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження - процеси анодно-хімічного формування пористого шару в кремнії n-типу провідності а також лазерно-стимульованої наноструктуризації системи SiOx / Si. Мета роботи - полягає в дослідженні можливості наноструктуризації для суміщення функцій просвітлення і пасивації поверхні кремнієвого сонячного елементу (СЕ) шляхом формування на ній наноструктурованих шарів пористого кремнію. Метод дослідження - вимірювання фототехнічних, оптичних та морфологічних параметрів сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ) в спектральних умовах АМ 1,5 при пошаровому стравлюванні (спектральні залежності струму короткого замикання, еліпсометрія, зображення растрової електронної мікроскопії (РЕМ)). Для досліджень застосовувалось установки магнетронного розпилення, лазерної модифікації твердого тіла, еліпсометрії, растрової електронної мікроскопії (РЕМ) високої роздільної здатності (~ 20 нм) в Центрі "Мікроаналітика" Інституту мікроприладів НАН України, а також атестоване органами Держспоживстандарту України контрольно-вимірювальне устаткування Центру випробувань фотоперетворювачів і фотоелектричних батарей ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Показана принципова можливість суміщення функцій просвітлення і пасивації поверхні СЕ шляхом формування на ній наноструктурованих шарів пористого кремнію. Встановлено, що електролітичне формування плівки мікропористого кремнію на сильно легованій фосфором поверхні кремнію п-типу в спиртовому розчині HF на потребує додаткового освітлення зразка і відбувається навіть в темноті при невеликих (~1-2 В) значеннях напруги на електролітичній комірці. Визначено, що в результаті занурення кремнію n-типу в електроліт на його поверхні утворюється шар виснаження основними носіямизаряду, внаслідок чого основний внесок в ефективну швидкість поверхневої рекомбінації на цій поверхні здійснює рекомбінація в ОПЗ, яка, за оцінками, становить 10^4-10^5 см/с. Ефективний показник заломлення в плівці, по даним еліпсометричних досліджень, становить n = 2,0-2,35, що свідчить про можливість використання мікропористого кремнію в якості ефективного просвітлюючого матеріалу для кремнієвих сонячних елементів. Показана принципова можливість лазерно-стимульованого розділення фаз плівки SiОх на моноатомні нанокристаліти Si в оточенні оксидної матриці SiО2. Встановлено, що в результаті лазерного відпалу відбувається зростання поглинальної здатності плівки SiOx із короткохвильовим зсувом мінімуму пропускання від 1032 см^-1 до 1073 см^-1. Результати даного етапу НДР є оригінальними, мають потенціал підвищення ефективності перетворення СЕ на основі Si, і будуть використані, зокрема, на наступних етапах виконання проекту. Опис продукції В звіті подані матеріали досліджень першого етапу роботи по проекту "Розробка нової технології формування сонячних перетворювачів з використанням тонкоплівкових пористих структур з варизонним шаром, впровадженими металевими плазмонними частинками та з електростатично зарядженим фероелектричним шаром". Об'єкти дослідження - процеси, анодно-хімічного формування пористого шару в кремнії n-типу провідності а також лазерно-стимульованої наноструктуризації системи SiOx / Si. Мета роботи - полягала в дослідженні можливості наноструктуризації суміщення функцій просвітлення і пасивації поверхні кремнієвого сонячного елементу (СЕ) шляхом формування на ній наноструктурованих шарів пористого кремнію. Метод дослідження - вимірювання фототехнічних, оптичних та морфологічних параметрів сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ) в спектральних умовах АМ 1,5 при пошаровому стравлюванні (спектральні залежності струму короткого замикання, еліпсометрія, зображення растрової електронної мікроскопії (РЕМ)). Для до Автори роботи Горбанюк Тетяна Іванівна Костильов Віталій Петрович Мусаєв Сергій Мусаєвич Федоренко Леонід Леонідович Чапський Сергій Юр'євич Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити