Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U007542, 0116U006421 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Оксидні матеріали з високою діелектричною сталою, що містять нанокластери кремнію або германію, для застосування в мікроелектроніці та фотоніці" Назва етапу роботи Керівник роботи Хоменкова Лариса Юріївна, Дата реєстрації 21-12-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - шари оксиду алюмінію та оксиду гафнію, леговані германієм. Мета роботи - встановлення природи фізичних процесів, які відбуваються при утворенні та термоактивованому розпаді твердих розчинів Ge-Al2O3 та Ge-HfO2, з'ясування механізмів формування германієвих нанокластерів та нанокристалів, а також визначення методів контролю структурних, оптичних та електричних властивостей матеріалів для застосування в приладах мікро- і фотоелектроніки. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, електричні, рентгенівська дифракція, комбінаційне розсіювання світла, просвічуюча електронна мікроскопія. З'ясовано вплив вмісту надлишкового германію та режимів термічних обробок на процеси розпаду в шарах оксиду алюмінію та оксиду гафнію, легованого германієм. Показано вплив вмісту германію на модифікацію структури оксиду гафнію від моноклінної до аморфної. Продемонстровано утворення кристалів германію та визначено оптимальні технологічні умови, що дозволяють їх формувати в аморфній оксидній матриці. Показано, що відпал зразків призводить також до появи фотолюмінесценції, спектр якої містить декілька компонент, співвідношення яких залежить від вмісту германію та довжини хвилі збуждення. Продемонстровано ефекти пам'яті для зразків на основі оксиду гафнію, легованого германієм. Прогнозні припущення про розвиток об'єкту дослідження - вдосконалення технології одержання шарів оксидів з високою діелектричною сталою, легованих германієм, які використовуються для виготовлення різних приладів мікроелектроніки і фотоніки. Опис продукції Спосіб визначення хімічного складу діелектриків на основі оксидів з високою діелектричною сталою, легованих германієм. В основу способу покладено визначення залежності оптичних параметрів, а саме показника заломлення та коефіцієнту поглинання, тонких діелектричних шарів від вмісту германію методом спектральної еліпсометрії. Запропоновано теоретичну модель, що описує хімічні властивості багатофазового складу шарів на основі удосконаленої моделі Бруггемана для аморфних матеріалів, та визначено за її допомогою оптичні параметри оксиду гафнію, легованого германієм. Запропоновано методику формування напівпровідникових кластерів в оксидах з високою діелектричною сталою на основі контрольованого термічного розпаду нестехіометричних оксидів. Автори роботи Борковська Л.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити