Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U007609, 0116U005451 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів і технології виготовлення детекторів рентгенівського і гамма випромінювання на основі напівпровідників Cd(Zn)Te з високою роздільною здатністю для інструментів безпеки та діагностики Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатюк Володимир Анастасійович, Дата реєстрації 23-12-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Визначено режими лазерної обробки для стимульованого травлення поверхні кристалів CdTe. Показано, що при лазерному опроміненні зразків з попередньо нанесеною плівкою In відбувається легування і формується p-n перехід у поверхневому шарі кристалу, досліджено його електричні і фотоелектричні характеристики. Параметри виготовлених експериментальних діодів з p-n переходом In/CdTe/Au свідчать про ефективність та перспективність розробленого методу для створення на основі цих бар'єрних структур чутливих елементів для детекторів рентгенівського і гама випромінювання. Опис продукції На основі отриманих результатів проведено аналіз фізичних процесів. На основі результатів численних експериментів визначено оптимальні режими обробки кристалів CdTe. Розроблено методи лазерно-індукованого легування та виготовлення діодних структур In/CdTe/Au для реєстрації рентгенівських і гамма квантів з надвисокою роздільною здатністю та формування зображень. Автори роботи Гнатюк Володимир Анастасійович Горонескуль Віктор Юрійович Левицький Сергій Миколайович Рудзинський В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити