Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U008088, 0115U001419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-06-2016 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Роботу присвячено дослідженню морфології та механізмів формування, а також процесів рекомбінації носіїв заряду в кремнієвих бар'єрних структур з квантовими точками Ge та GeSi, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на поверхнях Si(001) та SiO2/Si(001). Досліджено розподіли поверхневого потенціалу гетероструктур з нанооб'єктами Ge на поверхні Si(100) методом зонда Кельвіна та механізми його впливу на фотопровідність. Показано, що нанооб'єкти Ge здатні тривалий час втримувати дірки, зумовлюють флуктуації поверхневого потенціалу в приповерхневій області Si, та, загалом, спричинюють високу фоточутливість систем. Вивчено фізичні механізми впливу заряду, захопленого інтерфейсними пастками та квантово-розмірними станами на поверхневу провідність і фотопровідність наногетеросистем Ge/Si. Опис продукції Автори роботи Варавка О.В. Козирев Юрій Миколайович Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити