Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U008120, 0116U005291 , Науково-дослідна робота Назва роботи Мікро- і наноелектронні джозефсонівські гетероструктури з внутрішнім шунтуванням Назва етапу роботи Керівник роботи Білоголовський Михайло Олександрович, Дата реєстрації 22-09-2016 Організація виконавець Донецький національний університет імені Василя Стуса Опис етапу Виконано розрахунки температурної залежності надпровідного струму і дисипативних вольт-амперних характеристик багатошарових джозефсонівських переходів з аморфними оксидними прошарками товщиною порядку одного нанометра та напівпровідниковими плівками, допованими нанорозмірними металевими гранулами. З'ясовано, що радикальне зменшення гістерезису в вольт-амперних кривих таких структур обумовлено універсальним двопіковим розподілом прозорості в невпорядкованих ізолюючих шарах. Виявлено, що радикальні зміни кривизни температурної залежності надпровідного струму крізь самошунтовані джозефсонівські пристрої відповідають змінам в технології виготовлення таких зразків і тому можуть бути цілеспрямовано адаптовані до прикладних потреб. Результати, отримані в ході виконання першого етапу спільного українсько-французького проекту, можуть служити базою для створення новітніх джозефсонівських гетероструктур з поліпшеними надпровідними властивостями і, в той же час, з добре розділеними металевими електродами. Опис продукції Автори роботи Житлухіна Олена Сергіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити