Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U008128, 0116U006421 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Оксидні матеріали з високою діелектричною сталою, що містять нанокластери кремнію або германію, для застосування в мікроелектроніці та фотоніці" Назва етапу роботи Керівник роботи Хоменкова Лариса Юріївна, Дата реєстрації 10-10-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - шари оксиду алюмінію, легованого германієм. Мета роботи - встановлення природи фізичних процесів, які відбуваються при утворенні та термоактивованому розпаді твердих розчинів Ge-Al2O3, з'ясування механізмів формування напівпровідникових нанокластерів та нанокристалів, а також визначення методів контролю структурних, оптичних та електричних властивостей матеріалів для застосування в приладах мікро- і фотоелектроніки. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, електричні, рентгенівська дифракція, комбінаційне розсіювання світла. З'ясовано вплив вмісту надлишкового германію та режимів термічних обробок на процеси розпаду в шарах оксиду алюмінію, легованого германієм. Встановлено, що невідпалені шари є аморфними та містять фазу аморфного германію. При цьому положення відповідного максимуму в спектрі комбінаційного розсіяння світла спостерігається при ~268 см-1 для [Ge]<30 ат%, тоді як для плівок з високим вмістом германію ~274 см-1, що свідчить про напруженість шарів. Утворення аморфних германієвих кластерів починається при TA=550 C, а їх помітна кристалізація при температурі TA=600 C, яка перевищує температуру кристалізації шарів чистого германію. Встановлено, що відпал зразків призводить також до появи фотолюмінесценції в області 550-800 нм для зразків з [Ge]<70 ат.%. Спектр люмінесценції містить дві компоненти з максимумами при 580-620 та 700-730 нм. Показано, що перша з них обумовлена дефектами оксиду алюмінію, тоді як друга спричиняється рекомбінацією носіїв в германієвих кристалітах. Проведено порівняльний аналіз характеристик шарів Ge-Al2O3 та Si-Al2O3. Прогнозні припущення про розвиток об'єкту дослідження - вдосконалення технології одержання шарів оксидів з високою діелектричною сталою, легованих германієм, які використовуються для виготовлення різних приладів мікроелектроніки і фотоніки. Опис продукції Автори роботи Борковська Л.В. Поліщук Ю.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити