Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U009082, 0114U006296 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка шаруватих напівпровідникових структур для використання в якості робочих матеріалів конденсаторів надвисокої ємності. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Дата реєстрації 18-11-2016 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe інтеркальовані розплавами сегнетових солей RbNO3. Мета роботи: розробити методи інтеркалювання шаруватих напівпровідникових кристалів InSe і GaSe розплавами сегнетових солей RbNO3 і дослідити оптичні та діелектричні властивості таких структур з метою їх використання в якості робочих матеріалів твердотільних конденсаторів надвисокої ємності. Методи дослідження: інтеркалювання, низькотемпературні спектральні оптичні, електричні, рентгенывськи, енергодисперсійні, атомних-сил і електронно-мікроскопічні дослідження. В роботі розглядаються оптичні і електричні властивості шаруватих напівпровідникових кристалів групи А3В6 інтеркальованих розплавами сегнетових солей RbNO3. Досліджені вплив температури і часу інтеркалювання шаруваті кристалів InSe і GaSe розплавами сегнетових солей RbNO3, ємностні характеристики суперконденсаторів на різних частотах при їх освітленні і в темряві; вдосконалена методика і апаратура інтеркаляції шаруватих кристалів розплавами цих солей. Опис продукції Принципи технології виготовлення твердотільного ннакеопичувача електричної енергії на основі шаруватого кристалу, що відрізняється застосуванням методики інтеркалювання розплавами сегнетових солей для підвищення ємності накопичувача. Автори роботи Грехов Василь Михайлович Жирко Юрій Іванович Скубенко Микола Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити