Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0216U009083, 0115U005935 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технологічних основ одержання високочистого цинк сульфіду - матеріалу для інтерференційної оптики ІЧ-діапазону спектра Назва етапу роботи Керівник роботи Зінченко Віктор Федосійович, Дата реєстрації 18-11-2016 Організація виконавець Фізико-хімічний інститут ім. О.В.Богатського НАН України Опис етапу Показано, що оксигенвмісні домішки у цинк сульфіді негативно впливають на оптичні й експлуатаційні властивості матеріалу. Розроблено технологічні основи високоефективного способу цілковитого вилучення оксид-йонів з цинк сульфіду шляхом сульфурування за допомогою стибій сульфіду та випаровування леткої сполуки Sb2O3 в інтервалі температур 550-700 С. Видалення залишкового сульфуруючого агента проведено додаванням добавки дрібнодисперсного германію завдяки утворенню CVD (Chemical Vapor Deposition) - композиту, що дозволяє значно пришвидшити й поглибити процес очищення цинк сульфіду. Зазначену схему запропоновано й реалізовано як основу способу й технології одержання високочистого, без оксигенвмісних домішок плівкоутворюючого матеріалу - цинк сульфіду. Створено лабораторний регламент одержання високочистого цинк сульфіду. Здійснено синтез експериментального зразка високочистого цинк сульфіду за запропонованою технологічною схемою та проведено його випробування шляхом термічного випаровування у вакуумі та вимірювання параметрів одержаних покриттів. Встановлено суттєве зростання прозорості покриття з експериментального зразка, в тому числі в діапазоні 10-14 мкм, а також механічної міцності до групи 0. Опис продукції Метою роботи є забезпечення спеціального оптичного приладобудування матеріалами нового покоління ІЧ діапазону спектру. Розроблено технологічні основи високоефективного способу цілковитого вилучення оксид-йонів з цинк сульфіду шляхом сульфурування за допомогою стибій сульфіду. Видалення залишкового сульфуруючого агента проведено додаванням добавки дрібнодисперсного германію. Зазначену схему запропоновано й реалізовано як основу способу й технології одержання високочистого, без оксигенвмісних домішок плівкоутворюючого матеріалу - цинк сульфіду. Створено лабораторний регламент одержання високочистого цинк сульфіду. Здійснено синтез експериментального зразка високочистого цинк сульфіду. Автори роботи Магунов І.Р. Нечипоренко Г.В. Садковська Л.В. Чигринов В.Е. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Зінченко Віктор Федосійович. Розробка технологічних основ одержання високочистого цинк сульфіду - матеріалу для інтерференційної оптики ІЧ-діапазону спектра. (Етап: ). Фізико-хімічний інститут ім. О.В.Богатського НАН України. № 0216U009083
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14