Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U010220, 0116U004398 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розсіяння та випромінювання заряджених частинок великої енергії в тонких шарах кристалічної та аморфної речовини Назва етапу роботи Керівник роботи Шульга Микола Федорович, Дата реєстрації 23-12-2016 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Досліджено орієнтаційну залежність імовірності розсіяння високоенергетичних заряджених частинок великої енергії на великі кути, яка лінійно пов'язана з імовірністю близьких зіткнень, у прямому та зігнутому кристалі. Показано, що у випадку зігнутого кристалу найнижче значення цієї імовірності відповідає стохастичному механізму відхилення, а найвище - об'ємному відбиттю від зігнутих кристалічних площин. Пояснена наявність різких максимумів імовірності близьких зіткнень у прямому кристалі при переході від площинного каналювання до надбар'єрного руху. Досліджено фізичні причини, завдяки яким виникає осциляційна залежність спектральної щільності випромінювання електронів великої енергії на двох тонких аморфних мішенях. Показано, що цей ефект можливий в умовах сильної недипольності випромінювання на кожній мішені й обумовлений особливостями випромінювання "напівголого" електрона на його прямолінійному шляху між пластинками. Показано, що спектрально-кутовий розподіл випромінювання при двох послідовних розсіяннях на великі кути має три конуси випромінювання у напрямках початкового, кінцевого та проміжного руху частинки в області частот, для яких довжина когерентності процесу випромінювання близька до відстані між пластинками. Опис продукції Знайдено орієнтаційну залежність імовірності близьких зіткнень високоенергетичних позитивно заряджених частинок у прямому та зігнутому кристалі. Ця залежність дає змогу вважати, що при стохастичному відхиленні у зігнутому кристалі ця імовірність має найнижче значення, а при об'ємному відбитті від зігнутих кристалічних площин - найвище. Наявність різких максимумів імовірності близьких зіткнень у прямому кристалі при переході від площинного каналювання до надбар'єрного руху пояснюється наявністю ефекту "зависання" протонів над атомними площинами. Зменшення імовірності близьких зіткнень при переході від площинного каналювання до стохастичного відхилення високоенергетичних заряджених частинок може дозволити збільшити час експлуатації систем відхилення частинок на базі зігнутих кристалів. Досліджено фізичні причини, які призводять до інтерференційного ефекту у випромінюванні при зіткненні електронів великої енергії з двома тонкими аморфними пластинками. Показано, що в цьому випадку в умовах сильної недипольно Автори роботи Бондаренко Микола Вікторович Кириллін Ігор Володимирович Трофименко Сергій Валерійович Трутень Валентин Іванович Фомін Сергій Петрович Шульга Сергій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити